再次犯同样的错误。有办法了:不去战胜人性,去规避人性。
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周五大亏。7月连续3天亏损。这回26年不赚钱了。原因:下跌抗单。没有及时止损。
这个原因犯过多次,总结过多次,说再犯要重罚。但是:屡错屡犯,屡犯屡败。辛辛苦苦积累的26年那么点利润,3天大亏都还回去了。1那句:截断亏损,让利润奔跑。深深刻刻的记在自己心里几十次了。2天天总结下跌不抗单,最后还是扛了。3可以小亏小赚,不许大亏,还是扛单大亏了。怎么办?怎么办?怎么办?

这是前几天刚刚总结的。现在回过头看。总结的对,问题是自己没有遵守纪律。昨天亏损没有及时止损的想法是什么?说不好,人性吗?很难止损,哪怕这次成功了,下次成功了,多次成功止损了,有一次止损不成功,一次大亏,那就损失惨重。人性很难战胜,就算这次战胜了,下次呢?10次战胜8次,有2次疏忽了不能战胜,2次大亏就回打回原形。
这次大亏损的票当时小亏时也看到了。该止损了,但是没操作,等。等到大亏了才卖出去。4月末最后大亏一次把4月整个一个月辛辛苦苦赚的钱还回去了。这次7月初3天大亏,把26年的前半年赚的钱都还回去了。下一次呢?我能成功操作1个月,2个月。再有一次疏忽没战胜人性,抗单,或补仓。一次大亏又会辛辛苦苦把2个月赚的亏回去。





这次亏损的几个票。能看懂,有认知,没有执行到位。
以后不想办法战胜人性了,就算10次战胜8次也没有用。以后规避人性。不再主观的止损。重新再优化自己的操作模式。
1简单:只做上升趋势的。
2纯粹:买点,卖点,持股:在5日线上或15分钟60日线上
3纪律:1不贪婪,2不恐慌3不高频4不抗单。5不摊平成本亏损的票,不在5日线下补仓。
再加一条:6每天早上设制条件单:止损的条件单。
不战胜人性,去规避人性。
这个原因犯过多次,总结过多次,说再犯要重罚。但是:屡错屡犯,屡犯屡败。辛辛苦苦积累的26年那么点利润,3天大亏都还回去了。1那句:截断亏损,让利润奔跑。深深刻刻的记在自己心里几十次了。2天天总结下跌不抗单,最后还是扛了。3可以小亏小赚,不许大亏,还是扛单大亏了。怎么办?怎么办?怎么办?


这次大亏损的票当时小亏时也看到了。该止损了,但是没操作,等。等到大亏了才卖出去。4月末最后大亏一次把4月整个一个月辛辛苦苦赚的钱还回去了。这次7月初3天大亏,把26年的前半年赚的钱都还回去了。下一次呢?我能成功操作1个月,2个月。再有一次疏忽没战胜人性,抗单,或补仓。一次大亏又会辛辛苦苦把2个月赚的亏回去。







1简单:只做上升趋势的。
2纯粹:买点,卖点,持股:在5日线上或15分钟60日线上
3纪律:1不贪婪,2不恐慌3不高频4不抗单。5不摊平成本亏损的票,不在5日线下补仓。
再加一条:6每天早上设制条件单:止损的条件单。
不战胜人性,去规避人性。
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二、四代光刻胶精准对应四代制程,壁垒逐级翻倍
光刻胶严格匹配光刻光源迭代,每一代都有专属化学体系,技术难度跨代提升:
1、G/I线光刻胶(成熟制程)
适配早期紫外光源,适配90nm以上制程,多用于功率器件、模拟芯片、传感芯片、微机电设备。配方成熟、稳定性高,目前国内已实现100%自主量产,全面覆盖低端成熟制造场景。
2、KrF光刻胶(中端主流制程)
适配248nm准分子激光,覆盖28nm—90nm主流制程,广泛用于存储芯片、常规逻辑芯片、先进封装领域。目前国产技术已实现规模化突破,进入批量替代阶段,是现阶段国产替代的主力赛道。
3、ArF光刻胶(高端进阶制程)
适配193nm浸没式光源,支撑7nm—28nm先进制程,属于高端芯片制造的核心材料。配方精度、纯度控制、分子稳定性要求极致严苛,长期被海外巨头垄断,国产化仍处于攻坚突破阶段。
4、EUV光刻胶(顶级先进制程)
适配13.5nm极紫外光源,是7nm及以下超先进制程的专属材料。EUV光子能量极高,普通光刻胶无法承载,需要全新分子结构设计,是目前全球化学材料领域的最高难度壁垒。
三、光刻胶无解级核心难点:性能不可能三角
这是很多行业外行不知道的硬核知识点:光刻胶研发存在天然性能矛盾三角,三者无法同时完美兼顾,只能靠顶级配方无限平衡:
分辨率、灵敏度、线宽粗糙度
想要线条刻得更细(高分辨率),就会牺牲感光灵敏度,导致曝光不足、图形残缺;
想要感光更灵敏、量产更快,又会导致线条边缘粗糙、精度失真,直接影响芯片性能与稳定性。
全球顶尖厂商,几十年都在反复打磨这组平衡,也是高端光刻胶极难突破的核心原因。
四、三大极致工业纯度壁垒
高端光刻胶不只是配方难,生产管控难度更是达到极限:
第一,超高纯度管控,金属杂质含量必须控制在1ppb级别,千亿分之一的杂质,都可能造成芯片短路报废;
第二,分子精度可控,树脂分子量分布误差必须严格锁定极小区间,微小偏差直接改变感光特性;
第三,批次绝对一致性,百万级量产批次,性能、参数、稳定性必须零波动,否则产线良率大幅滑坡。
五、国内光刻胶真实产业进度
成熟制程G/I线、KrF光刻胶,国内已经完全打通配方、合成、提纯、量产全链路,批次稳定性达标商用标准,大规模配套国产成熟芯片产线。
高端ArF光刻胶已完成样品迭代与小批量测试,核心原材料、分子配方、提纯工艺持续突破,逐步进入替代落地周期。
顶级EUV专属光刻胶,目前处于原理研发与样品攻关阶段,持续优化分子结构与感光适配性,稳步缩小与国际顶尖水平的代差。
总结
硬件决定光刻机能不能“照得准”,