关于日本第三轮半导体出口管制的梳理+分析
展开
核心事件梳理
日本2026年8月1日生效的第三轮管制,核心变化是从「卡前道晶圆制造」延伸到「卡后道先进封装」
新增约20类设备:超薄晶圆减薄/研磨、激光隐形切割(DISCO主导)、TSV硅通孔、高端固晶/混合键合、微凸点电镀、高精度分选检测等
执行规则:逐案审批+3-6个月周期+高驳回率,存量订单仅短过渡期
靶向明确:精准封堵Chiplet/3D堆叠/CoWoS/HBM这条「先进制程受限后
日本2026年8月1日生效的第三轮管制,核心变化是从「卡前道晶圆制造」延伸到「卡后道先进封装」
新增约20类设备:超薄晶圆减薄/研磨、激光隐形切割(DISCO主导)、TSV硅通孔、高端固晶/混合键合、微凸点电镀、高精度分选检测等
执行规则:逐案审批+3-6个月周期+高驳回率,存量订单仅短过渡期
靶向明确:精准封堵Chiplet/3D堆叠/CoWoS/HBM这条「先进制程受限后
