功率半导体产业链(仅收藏学用)
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一,上游材料环节:该环节价值量占全产业链的15%-25%,核心壁垒在于产能规模与良率控制,涨价周期中成本传导顺畅,业绩增长确定性强。
硅片赛道:有研硅、TCL中环、沪硅产业、立昂微
立昂微已对功率芯片全系产品上调10%-15%,直接受益于晶圆产能紧缺带来的量价齐升。SiC衬底与外延赛道
天岳先进、露笑科技、三安光电,其中天岳先进作为国内SiC衬底龙头,直接受益于AI高压化趋势下第三代半导体器件的需求爆发。
二、中游器件制造环节:该环节价值量占全产业链的50%-65%,是本轮涨价周期中利润弹性最大的环节,核心壁垒在于长期积累的IDM工艺经验与下游客户认证。
MO SFET 与二极管赛道:新洁能、东微半导、捷捷微电、扬杰科技、士兰微、华微电子,
士兰微、扬杰科技作为国内IDM龙头,已实现满产满销,2026年上半年净利润同比增幅分别超过95%与20%,业绩兑现确定性最高;
东微半导的高压超级结MOSFET技术优势突出,在AI服务器电源、高压充电桩等高价值场景卡位领先。
IGBT与功率模块赛道:斯达半导、时代电气、宏微科技、芯联集成、台基股份、银河微电
芯联集成于2026年三季度对全品类产品启动15%-25%的调价,AI服务器与新能源车双轮驱动产能加速爬坡。
电源管理与配套芯片赛道:芯朋微、富满微、国民技术、卓胜微
卓胜微宣布自9月1日起上调全系列RF产品价格,国民技术部分MCU产品调价幅度达10%-20%,充分受益于产业链景气度传导。
三、下游系统应用环节:该环节价值量占全产业链的15%-25%,核心壁垒在于系统集成能力与终端渠道布局,头部企业通过技术升级消化成本压力,实现盈利水平稳步提升。
国电南瑞、振华科技、民德电子、云意电气、利欧股份、澄天伟业、综艺股份、天龙股份
云意电气拟募资15.47亿元投造车规级大功率半导体器件,正式切入车规功率半导体高景气赛道。
先进封测与晶圆制造配套环节:该环节是功率半导体产能释放的核心支撑,当前产能利用率持续维持高位,订单能见度普遍超过6个月。
长电科技、通富微电、华天科技、气派科技、华润微、燕东微、上海贝岭、高新发展
华润微作为国内平台型IDM企业,8/12英寸产线产能饱满,订单能见度最高达9个月,待交订单规模创历史新高。
硅片赛道:有研硅、TCL中环、沪硅产业、立昂微
立昂微已对功率芯片全系产品上调10%-15%,直接受益于晶圆产能紧缺带来的量价齐升。SiC衬底与外延赛道
天岳先进、露笑科技、三安光电,其中天岳先进作为国内SiC衬底龙头,直接受益于AI高压化趋势下第三代半导体器件的需求爆发。
二、中游器件制造环节:该环节价值量占全产业链的50%-65%,是本轮涨价周期中利润弹性最大的环节,核心壁垒在于长期积累的IDM工艺经验与下游客户认证。
MO SFET 与二极管赛道:新洁能、东微半导、捷捷微电、扬杰科技、士兰微、华微电子,
士兰微、扬杰科技作为国内IDM龙头,已实现满产满销,2026年上半年净利润同比增幅分别超过95%与20%,业绩兑现确定性最高;
东微半导的高压超级结MOSFET技术优势突出,在AI服务器电源、高压充电桩等高价值场景卡位领先。
IGBT与功率模块赛道:斯达半导、时代电气、宏微科技、芯联集成、台基股份、银河微电
芯联集成于2026年三季度对全品类产品启动15%-25%的调价,AI服务器与新能源车双轮驱动产能加速爬坡。
电源管理与配套芯片赛道:芯朋微、富满微、国民技术、卓胜微
卓胜微宣布自9月1日起上调全系列RF产品价格,国民技术部分MCU产品调价幅度达10%-20%,充分受益于产业链景气度传导。
三、下游系统应用环节:该环节价值量占全产业链的15%-25%,核心壁垒在于系统集成能力与终端渠道布局,头部企业通过技术升级消化成本压力,实现盈利水平稳步提升。
国电南瑞、振华科技、民德电子、云意电气、利欧股份、澄天伟业、综艺股份、天龙股份
云意电气拟募资15.47亿元投造车规级大功率半导体器件,正式切入车规功率半导体高景气赛道。
先进封测与晶圆制造配套环节:该环节是功率半导体产能释放的核心支撑,当前产能利用率持续维持高位,订单能见度普遍超过6个月。
长电科技、通富微电、华天科技、气派科技、华润微、燕东微、上海贝岭、高新发展
华润微作为国内平台型IDM企业,8/12英寸产线产能饱满,订单能见度最高达9个月,待交订单规模创历史新高。
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一、上游:衬底、硅片、设备、关键材料
1. 硅基衬底(传统功率器件基础)
1. 立昂微 605358 :8英寸重掺硅片+功率芯片一体化
2. 沪硅产业 688126 :大硅片,供给功率晶圆厂
2. SiC碳化硅衬底(第三代,高压800V车规、储能、AI高压电源,壁垒最高)
1. 天岳先进 688234 :半绝缘SiC衬底龙头,8英寸导电型量产
2. 露笑科技 002617 :6英寸导电型SiC衬底量产,扩产8英寸
3. 三安光电 600703 :SiC衬底+外延+器件全布局
3. 长晶/制造设备
1. 晶盛机电 300316 :SiC长晶炉、硅炉龙头
2. 晶升股份 688478 :SiC单晶炉核心设备
3. 北方华创、中微公司:刻蚀、薄膜沉积设备
二、中游:功率器件(核心赛道,分为IDM一体化、MO SFET 、IGBT模块、第三代半导体)
IDM一体化(设计+制造+封测,行业中军,抗周期,重点跟踪)
1. 华润微 688396 :国内综合功率IDM龙头,MOSFET国内市占第一;自有8/12寸产线,覆盖工控、AI服务器电源、光伏储能、车载OBC
2. 士兰微 600460 :民营IDM标杆,8/12寸硅产线+6寸SiC产线;SGT MOS、车规IGBT、IPM模块,算力电源、新能源车双线放量
3. 扬杰科技 300373 :分立器件IDM,二极管、MOS、IGBT、SiC全覆盖,光伏储能优势明显
4. 闻泰科技 600745 :安世半导体,全球车规功率IDM,低压MOS、GaN器件,服务器、车载配套
MOSFET(AI服务器电源、快充、车载OBC核心)
1. 东微半导 688261 :高压超结MOS龙头,AI服务器高压电源核心标的
2. 新洁能 605111 :中高压超结MOS设计龙头,光伏、快充、工控
3. 捷捷微电 300623 :晶闸管+中小功率MOS,家电、充电桩防护器件
4. 锴威特 688693 :车规级MOSFET
IGBT/功率模块(新能源车主驱、光伏逆变器、风电、轨交)
1. 斯达半导 603290 :国内IGBT模块龙头,全球前五;车规+光伏储能,SiC模块适配800V高压平台
2. 时代电气 688187 :中车旗下,高压大功率IGBT龙头,轨交、特高压、风电壁垒极强
3. 宏微科技 688711 :IGBT模块设计,光伏、AI电源、新能源车电控
4. 台基股份 300046 :大功率晶闸管、高压IGBT,工业变频、新能源发电
第三代半导体 SiC / GaN(高成长主线)
1. SiC器件:斯达半导、士兰微、华润微、扬杰科技
2. GaN氮化镓(快充、伺服、数据中心电源):三安光电、闻泰科技
三、后端:封装测试、散热基板、配套材料
1. 封测:长电科技、通富微电(功率模块封装)
2. 散热基板(IGBT/SiC模块刚需):黄山谷捷
3. 配套被动元器件:法拉电子、江海股份(电容,功率电源配套)
四、下游:模组厂商、应用端(逆变器、电控)
1. 光伏储能逆变器:阳光电源、固德威(采购功率器件)
2. 新能源车电控:比亚迪、汇川技术
3. 服务器电源:航嘉、维谛(供应链上市公司较少,更多向上游器件传导)
四大核心中长观察
1. 华润微 688396(IDM综合龙头)
2. 士兰微 600460(民营IDM,AI+车规双增量)
3. 斯达半导 603290(IGBT模块龙头)
4. 天岳先进 688234(SiC衬底核心)