ALD原子层沉积核心梳理 全球半导体薄膜沉积设备市场2032年预计达到675.57亿美
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ALD原子层沉积核心梳理
ALD（原子层沉积）是先进制程与3D集成中的核心技术。在3D NAND堆叠层数由200层向300层、400层演进、先进 DRAM /HBM工艺升级以及先进封装向三维堆叠过渡的大背景下，ALD凭借优异的三维共形性和亚单层精确控制，成为混合键合沉积、高深宽比通孔沉积、高k介质层生长的关键工艺，薄膜沉积工序用量与价值量持续提升。国信证券"韬（τ）定律"指出，3D互连催生ALD工艺刚需，预计全球ALD设备市场到2035年将增至132亿美元，当前全球ALD设备市场高度垄断于应用材料、泛林半导体、东京电子等巨头，国产替代空间广阔。政策面上，"十五五"规划将原子级制造纳入未来产业，工信部明确推动刻蚀、沉积、原子层工艺等设备自主化。产业链核心受益方向包括：ALD沉积设备、前驱体材料、ALE原子层刻蚀设备三大核心环节。
一、ALD沉积设备——国产替代主战场微导纳米——ALD设备A股营收第一，国产ALD设备龙头
核心定位：ALD设备A股营收第一（8.81亿），国内首台量产型原子层沉积设备厂商。已形成以原子层沉积（ALD）技术为核心、CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，是国内首家成功将量产型High-k ALD设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，产品覆盖逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等细分领域。ALD设备已全面覆盖主流薄膜材料与核心工艺，存储领域已广泛应用于国产存储芯片量产产线。同时在固态电池、柔性电子、车规级芯片等新兴领域深耕布局。半导体业务构筑第二增长曲线，快速拓展高端CVD设备。
活跃度：多次涨停，板块核心标的。
拓荆科技——ALD设备A股营收第二，薄膜沉积设备龙头
核心定位：ALD设备A股营收第二（3.01亿，同比+191.82%），PE-ALD与ALD工艺覆盖领先，是国内工艺覆盖最完整、出货规模最大的国产薄膜沉积设备龙头。核心产品覆盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备及混合键合等三维集成设备，累计出货反应腔超3400个、进入约100条芯片生产线。3D NAND堆叠层数提升、GAA及先进封装不断增加薄膜层数和ALD工序，是设备价值量提升的重要方向。公司已在先进逻辑、3D NAND、先进DRAM及先进封装场景持续导入，混合键合业务有望成为第二增长曲线。
活跃度：多次涨停，板块核心标的。
北方华创——平台型设备龙头，新一代管式ALD批量交付
核心定位：国内前道设备平台型龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、炉管、离子注入等核心工艺环节。新一代管式ALD批量交付国内存储厂商，D-ALD可用于12英寸存储芯片金属氧化物薄膜、金属前介质层、硬掩膜层、钝化层等薄膜沉积及先进封装Liner层沉积；M-ALD用于先进工艺金属栅极及刻蚀阻挡层原子层沉积，成为国内High-k量产生产线主力机台；TubeALD用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、Low-k介质等薄膜沉积。其PVD设备可用于芯片金属化层原子级沉积，CVD设备在高深宽比结构填充中具有技术优势。产品线最全的平台型龙头，是国产化替代的核心受益标的。
活跃度：板块核心标的。
中微公司——钨ALD获客户重复量产订单
核心定位：以高端等离子体刻蚀设备为核心，并向薄膜沉积等环节扩展。钨ALD获客户重复量产订单，金属栅ALD通过现场验证， LPCV D用于存储和逻辑的部分机型已实现稳定量产。先进逻辑、3D NAND和先进封装增加高深宽比刻蚀及复杂薄膜工艺需求，核心壁垒是等离子体控制、工艺稳定性和量产线验证。同时布局ALE原子层刻蚀设备，实验室样机已完成。
活跃度：多次涨停，板块核心标的。
迈为股份——ALD设备进入头部芯片厂验证
核心定位：ALD设备进入多家头部芯片厂验证，部分获重复订单。光伏设备龙头向半导体ALD设备延伸，在HJT等高效电池工艺中积累的薄膜沉积能力向半导体领域拓展。
活跃度：板块活跃标的。
盛美上海——ALD沉积炉管设备处调试优化阶段
核心定位：国内半导体清洗设备市占率第一，同时布局电镀、炉管等设备。ALD沉积炉管设备处于客户端调试优化阶段，向ALD薄膜沉积设备方向拓展。
活跃度：板块活跃标的。
二、前驱体材料——ALD核心耗材，单位晶圆价值量提升前驱体是ALD/CVD薄膜沉积工艺的核心耗材，3D NAND堆叠层数提升及先进DRAM制造需要更多ALD/CVD沉积步骤，前驱体单位晶圆用量随工艺复杂度提升，属于"存储扩产卖铲人"环节。
雅克科技——前驱体A股营收第一，电子材料平台
核心定位：前驱体A股营收第一（21.11亿，含SOD），半导体前驱体龙头。产品覆盖前驱体、电子特气、光刻胶及材料输送系统，是长江存储等存储厂商前驱体核心供应商。3D NAND层数增加、先进DRAM及先进封装提升ALD/CVD沉积步骤，对高纯前驱体用量和杂质控制能力提出更高要求，属于存储扩产的上游材料平台。
活跃度：板块核心标的。
南大光电——前驱体A股营收第二，深耕MO源领域
核心定位：前驱体A股营收第二（7.138亿），深耕MO源（金属有机源）领域，同时布局ALD前驱体材料，是半导体前驱体核心供应商。
活跃度：板块活跃标的。
恒坤新材——前驱体A股营收第三
核心定位：前驱体A股营收第三（0.96亿），以TEOS为支柱，同时布局其他半导体前驱体材料。
活跃度：板块活跃标的。
先导基电——6N级高纯铪前驱体稳定量产
核心定位：6N级高纯铪前驱体稳定量产，布局半导体前驱体材料。
活跃度：板块活跃标的。
中巨芯——HCDS现量产，布局Zr/Hf、Mo/Ru金属基前驱体
核心定位：HCDS（六氯二硅烷）现量产，布局Zr/Hf、Mo/Ru金属基前驱体，覆盖电子级氢氟酸、电子特气和电子化学材料等产品，核心看点是高纯等级提升及先进制程国产替代。
活跃度：板块活跃标的。
正帆科技——布局硅基、High-k及金属等20余种产品
核心定位：提供制程关键系统与装备、关键材料，布局硅基、High-k及金属等20余种前驱体产品。
活跃度：板块活跃标的。
中船特气——投资TEOS、四甲基硅烷等前驱体材料项目
核心定位：高纯电子特气平台，投资TEOS、四甲基硅烷等前驱体材料项目，产品用于刻蚀、薄膜沉积、清洗等晶圆制造环节。
活跃度：板块活跃标的。
华特气体——推进硅基前驱体建设
核心定位：电子特气龙头，推进硅基前驱体建设，南通基地规划23吨/年产能。
活跃度：板块活跃标的。
金宏气体——TEOS已实现部分客户批量供应
核心定位：TEOS产品已实现部分客户批量供应，钼基前驱体材料项目推进。
活跃度：板块活跃标的。
贝特利——四甲基环四硅氧烷可作为半导体上游原材料
核心定位：公司四甲基环四硅氧烷可作为半导体上游原材料。
活跃度：板块活跃标的。
三、ALE原子层刻蚀设备——新型原子级工艺北方华创——ALE原子层刻蚀设备已实现在客户端的工艺应用
核心定位：ALE原子层刻蚀设备已实现在客户端的工艺应用，在先进制程原子级加工方向布局领先。
活跃度：板块核心标的。
中微公司——ALE实验室样机已完成
核心定位：ALE实验室样机已完成，面向氧化硅/氮化硅原子层刻蚀，向原子级加工设备平台扩展，已开发54种高端半导体设备、超过8800个反应台进入国内外生产线。
活跃度：板块核心标的。
四、ALD原子层沉积概念高辨识度公司（按活跃度排序）公司名称
核心逻辑
活跃度
微导纳米
ALD设备A股营收第一（8.81亿），国内首台量产型ALD设备厂商，国产ALD龙头
多次涨停，板块核心标的。
拓荆科技
ALD设备A股营收第二（3.01亿），PE-ALD工艺覆盖领先，薄膜沉积龙头
多次涨停，板块核心标的。
北方华创
平台型龙头，新一代管式ALD批量交付存储厂商，PVD/CVD原子级工艺覆盖
板块核心标的。
中微公司
钨ALD获重复量产订单，金属栅ALD通过验证，ALE样机已完成
多次涨停，板块核心标的。
迈为股份
ALD设备进入多家头部芯片厂验证，部分获重复订单
板块活跃标的。
盛美上海
ALD沉积炉管设备处客户端调试优化阶段，清洗龙头延伸
板块活跃标的。
雅克科技
前驱体A股营收第一（21.11亿含SOD），存储扩产"卖铲人"
板块核心标的。
南大光电
前驱体A股营收第二（7.138亿），深耕MO源领域
板块活跃标的。
恒坤新材
前驱体A股营收第三（0.96亿），以TEOS为支柱
板块活跃标的。
先导基电
6N级高纯铪前驱体稳定量产
板块活跃标的。
中巨芯
HCDS现量产，布局Zr/Hf、Mo/Ru金属基前驱体
板块活跃标的。
正帆科技
布局硅基、High-k及金属等20余种前驱体产品
板块活跃标的。
中船特气
投资TEOS、四甲基硅烷等前驱体材料项目
板块活跃标的。
华特气体
推进硅基前驱体建设，南通基地规划23吨/年产能
板块活跃标的。
金宏气体
TEOS已实现部分客户批量供应，钼基前驱体项目推进
板块活跃标的。
请注意： 以上旨在梳理ALD原子层沉积产业逻辑与核心公司定位，不构成任何投资建议。ALD板块受国产设备验证与放量进度、存储/逻辑扩产节奏、3D NAND堆叠层数演进、先进封装发展、前驱体材料国产替代进度、中美半导体供应链政策等多重因素影响，市场存在较大不确定性，决策需谨慎。
谢谢点赞分享关注，文章视频制作会有时差，有需要提前梳理的 可以留言，周一到周五即时更新，周六的提问 会在周日晚统一解析。亦可收藏 查看过往解析。
ALD（原子层沉积）是先进制程与3D集成中的核心技术。在3D NAND堆叠层数由200层向300层、400层演进、先进 DRAM /HBM工艺升级以及先进封装向三维堆叠过渡的大背景下，ALD凭借优异的三维共形性和亚单层精确控制，成为混合键合沉积、高深宽比通孔沉积、高k介质层生长的关键工艺，薄膜沉积工序用量与价值量持续提升。国信证券"韬（τ）定律"指出，3D互连催生ALD工艺刚需，预计全球ALD设备市场到2035年将增至132亿美元，当前全球ALD设备市场高度垄断于应用材料、泛林半导体、东京电子等巨头，国产替代空间广阔。政策面上，"十五五"规划将原子级制造纳入未来产业，工信部明确推动刻蚀、沉积、原子层工艺等设备自主化。产业链核心受益方向包括：ALD沉积设备、前驱体材料、ALE原子层刻蚀设备三大核心环节。
一、ALD沉积设备——国产替代主战场微导纳米——ALD设备A股营收第一，国产ALD设备龙头
核心定位：ALD设备A股营收第一（8.81亿），国内首台量产型原子层沉积设备厂商。已形成以原子层沉积（ALD）技术为核心、CVD等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，是国内首家成功将量产型High-k ALD设备应用于28nm节点集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，产品覆盖逻辑、存储、化合物半导体、新型显示等细分领域。ALD设备已全面覆盖主流薄膜材料与核心工艺，存储领域已广泛应用于国产存储芯片量产产线。同时在固态电池、柔性电子、车规级芯片等新兴领域深耕布局。半导体业务构筑第二增长曲线，快速拓展高端CVD设备。
活跃度：多次涨停，板块核心标的。
拓荆科技——ALD设备A股营收第二，薄膜沉积设备龙头
核心定位：ALD设备A股营收第二（3.01亿，同比+191.82%），PE-ALD与ALD工艺覆盖领先，是国内工艺覆盖最完整、出货规模最大的国产薄膜沉积设备龙头。核心产品覆盖PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉积设备及混合键合等三维集成设备，累计出货反应腔超3400个、进入约100条芯片生产线。3D NAND堆叠层数提升、GAA及先进封装不断增加薄膜层数和ALD工序，是设备价值量提升的重要方向。公司已在先进逻辑、3D NAND、先进DRAM及先进封装场景持续导入，混合键合业务有望成为第二增长曲线。
活跃度：多次涨停，板块核心标的。
北方华创——平台型设备龙头，新一代管式ALD批量交付
核心定位：国内前道设备平台型龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、炉管、离子注入等核心工艺环节。新一代管式ALD批量交付国内存储厂商，D-ALD可用于12英寸存储芯片金属氧化物薄膜、金属前介质层、硬掩膜层、钝化层等薄膜沉积及先进封装Liner层沉积；M-ALD用于先进工艺金属栅极及刻蚀阻挡层原子层沉积，成为国内High-k量产生产线主力机台；TubeALD用于12英寸逻辑、存储芯片氮化硅、氧化硅、Low-k介质等薄膜沉积。其PVD设备可用于芯片金属化层原子级沉积，CVD设备在高深宽比结构填充中具有技术优势。产品线最全的平台型龙头，是国产化替代的核心受益标的。
活跃度：板块核心标的。
中微公司——钨ALD获客户重复量产订单
核心定位：以高端等离子体刻蚀设备为核心，并向薄膜沉积等环节扩展。钨ALD获客户重复量产订单，金属栅ALD通过现场验证， LPCV D用于存储和逻辑的部分机型已实现稳定量产。先进逻辑、3D NAND和先进封装增加高深宽比刻蚀及复杂薄膜工艺需求，核心壁垒是等离子体控制、工艺稳定性和量产线验证。同时布局ALE原子层刻蚀设备，实验室样机已完成。
活跃度：多次涨停，板块核心标的。
迈为股份——ALD设备进入头部芯片厂验证
核心定位：ALD设备进入多家头部芯片厂验证，部分获重复订单。光伏设备龙头向半导体ALD设备延伸，在HJT等高效电池工艺中积累的薄膜沉积能力向半导体领域拓展。
活跃度：板块活跃标的。
盛美上海——ALD沉积炉管设备处调试优化阶段
核心定位：国内半导体清洗设备市占率第一，同时布局电镀、炉管等设备。ALD沉积炉管设备处于客户端调试优化阶段，向ALD薄膜沉积设备方向拓展。
活跃度：板块活跃标的。
二、前驱体材料——ALD核心耗材，单位晶圆价值量提升前驱体是ALD/CVD薄膜沉积工艺的核心耗材，3D NAND堆叠层数提升及先进DRAM制造需要更多ALD/CVD沉积步骤，前驱体单位晶圆用量随工艺复杂度提升，属于"存储扩产卖铲人"环节。
雅克科技——前驱体A股营收第一，电子材料平台
核心定位：前驱体A股营收第一（21.11亿，含SOD），半导体前驱体龙头。产品覆盖前驱体、电子特气、光刻胶及材料输送系统，是长江存储等存储厂商前驱体核心供应商。3D NAND层数增加、先进DRAM及先进封装提升ALD/CVD沉积步骤，对高纯前驱体用量和杂质控制能力提出更高要求，属于存储扩产的上游材料平台。
活跃度：板块核心标的。
南大光电——前驱体A股营收第二，深耕MO源领域
核心定位：前驱体A股营收第二（7.138亿），深耕MO源（金属有机源）领域，同时布局ALD前驱体材料，是半导体前驱体核心供应商。
活跃度：板块活跃标的。
恒坤新材——前驱体A股营收第三
核心定位：前驱体A股营收第三（0.96亿），以TEOS为支柱，同时布局其他半导体前驱体材料。
活跃度：板块活跃标的。
先导基电——6N级高纯铪前驱体稳定量产
核心定位：6N级高纯铪前驱体稳定量产，布局半导体前驱体材料。
活跃度：板块活跃标的。
中巨芯——HCDS现量产，布局Zr/Hf、Mo/Ru金属基前驱体
核心定位：HCDS（六氯二硅烷）现量产，布局Zr/Hf、Mo/Ru金属基前驱体，覆盖电子级氢氟酸、电子特气和电子化学材料等产品，核心看点是高纯等级提升及先进制程国产替代。
活跃度：板块活跃标的。
正帆科技——布局硅基、High-k及金属等20余种产品
核心定位：提供制程关键系统与装备、关键材料，布局硅基、High-k及金属等20余种前驱体产品。
活跃度：板块活跃标的。
中船特气——投资TEOS、四甲基硅烷等前驱体材料项目
核心定位：高纯电子特气平台，投资TEOS、四甲基硅烷等前驱体材料项目，产品用于刻蚀、薄膜沉积、清洗等晶圆制造环节。
活跃度：板块活跃标的。
华特气体——推进硅基前驱体建设
核心定位：电子特气龙头，推进硅基前驱体建设，南通基地规划23吨/年产能。
活跃度：板块活跃标的。
金宏气体——TEOS已实现部分客户批量供应
核心定位：TEOS产品已实现部分客户批量供应，钼基前驱体材料项目推进。
活跃度：板块活跃标的。
贝特利——四甲基环四硅氧烷可作为半导体上游原材料
核心定位：公司四甲基环四硅氧烷可作为半导体上游原材料。
活跃度：板块活跃标的。
三、ALE原子层刻蚀设备——新型原子级工艺北方华创——ALE原子层刻蚀设备已实现在客户端的工艺应用
核心定位：ALE原子层刻蚀设备已实现在客户端的工艺应用，在先进制程原子级加工方向布局领先。
活跃度：板块核心标的。
中微公司——ALE实验室样机已完成
核心定位：ALE实验室样机已完成，面向氧化硅/氮化硅原子层刻蚀，向原子级加工设备平台扩展，已开发54种高端半导体设备、超过8800个反应台进入国内外生产线。
活跃度：板块核心标的。
四、ALD原子层沉积概念高辨识度公司（按活跃度排序）公司名称
核心逻辑
活跃度
微导纳米
ALD设备A股营收第一（8.81亿），国内首台量产型ALD设备厂商，国产ALD龙头
多次涨停，板块核心标的。
拓荆科技
ALD设备A股营收第二（3.01亿），PE-ALD工艺覆盖领先，薄膜沉积龙头
多次涨停，板块核心标的。
北方华创
平台型龙头，新一代管式ALD批量交付存储厂商，PVD/CVD原子级工艺覆盖
板块核心标的。
中微公司
钨ALD获重复量产订单，金属栅ALD通过验证，ALE样机已完成
多次涨停，板块核心标的。
迈为股份
ALD设备进入多家头部芯片厂验证，部分获重复订单
板块活跃标的。
盛美上海
ALD沉积炉管设备处客户端调试优化阶段，清洗龙头延伸
板块活跃标的。
雅克科技
前驱体A股营收第一（21.11亿含SOD），存储扩产"卖铲人"
板块核心标的。
南大光电
前驱体A股营收第二（7.138亿），深耕MO源领域
板块活跃标的。
恒坤新材
前驱体A股营收第三（0.96亿），以TEOS为支柱
板块活跃标的。
先导基电
6N级高纯铪前驱体稳定量产
板块活跃标的。
中巨芯
HCDS现量产，布局Zr/Hf、Mo/Ru金属基前驱体
板块活跃标的。
正帆科技
布局硅基、High-k及金属等20余种前驱体产品
板块活跃标的。
中船特气
投资TEOS、四甲基硅烷等前驱体材料项目
板块活跃标的。
华特气体
推进硅基前驱体建设，南通基地规划23吨/年产能
板块活跃标的。
金宏气体
TEOS已实现部分客户批量供应，钼基前驱体项目推进
板块活跃标的。
请注意： 以上旨在梳理ALD原子层沉积产业逻辑与核心公司定位，不构成任何投资建议。ALD板块受国产设备验证与放量进度、存储/逻辑扩产节奏、3D NAND堆叠层数演进、先进封装发展、前驱体材料国产替代进度、中美半导体供应链政策等多重因素影响，市场存在较大不确定性，决策需谨慎。
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