$北京君正(300223)$ 北京君正,3D DRAM研发。公司曾公告,已启动3D DRAM技术研发,面向AI存储市场。
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$北京君正( 300223 )$ 北京君正,3D DRAM 研发。公司曾公告,已启动3D DRAM技术研发,面向AI存储市场。这是一个炸点!!
DRAM新技术格局
北京君正与中国存储产业全景扫描
DRAM(动态随机存取存储器)是AI算力基础设施的核心组件。2026年,存储三巨头正押注MRDIMM、HBM3E等新一代技术,而中国企业在DRAM领域的布局也进入关键阶段。
DRAM新技术前沿
MRDIMM标准
服务器DRAM模块最新一代标准已进入最后开发阶段,由JEDEC成员三星、SK海力士、美光主导开发。第一子代MRDIMM可达8800MT/s,峰值带宽较标准DDR5 RDIMM提升近40%。
3D DRAM
通过芯片堆叠技术在有限空间内提升存储带宽与容量,同时降低功耗。多家媒体报道指出,3D DRAM通过hyper band绑定能更高效地提供带宽和功耗,有效满足AI芯片与高性能计算芯片对大容量及高带宽的需求。
HBM3E高带宽存储
与GPU集成的高带宽存储技术,为AI训练和推理提供极致内存带宽,是当前AI服务器的主流配置方案。
北京君正的DRAM技术布局
北京君正(300223)在存储芯片领域拥有深厚积累,其DRAM产品线涵盖DDR3/4、LPDDR2/4,容量从16Mb到16Gb,全球车用市场排名第二,仅次于三星。
核心技术能力
1
先进工艺演进
持续推进制程升级,21nm/20nm、18nm、16nm的DRAM新产品预计2025年提供工程样品
2
3D DRAM研发
已启动3D DRAM技术研发,面向AI存储市场,但明确2025年不会量产
3
车规级市场地位
全球车用存储市场龙头地位稳固,SRAM全球车用市场排名第一,DRAM排名第二
技术边界说明
北京君正的AI技术集中于端侧视觉和IoT设备,而非云端大模型训练;存储芯片优势在车规和工业级市场,与Groq/英伟达所需的片上SRAM技术路径不同。
中国掌握DRAM技术的上市公司
全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断90%以上份额。近年来,中国企业在DRAM领域取得突破,目前主要有以下上市公司涉及DRAM业务:
公司
股票代码
DRAM业务定位
市场地位
科技 拟科创板上市 DRAM设计+制造 全球第四、中国第一
北京君正 300223.SZ 车规级DRAM设计 全球车用DRAM第二
兆易创新 603986.SH 利基型DRAM设计 国内存储芯片设计龙头
东芯股份 688110.SH 中小容量DRAM 聚焦利基型存储
关键洞察
•科技是唯一具备DRAM制造能力的中国大陆企业,2025年Q2全球市场份额已达3.97%
•北京君正聚焦车规级DRAM细分市场,在车载存储领域具有差异化竞争优势
•兆易创新、东芯股份等以DRAM设计为主,不涉及制造环节
核心结论
北京君正掌握DRAM技术
北京君正已掌握DDR3/4、LPDDR2/4等DRAM技术,容量覆盖16Mb到16Gb,并在车规级市场占据全球第二的地位。公司已启动3D DRAM技术研发,但尚未量产,与MRDIMM、HBM3E等最新服务器级DRAM技术存在代差。
中国DRAM上市公司格局
中国大陆掌握DRAM技术的上市公司约4家:科技(制造+设计,拟上市)、北京君正(车规级设计)、兆易创新(利基型设计)、东芯股份(中小容量设计)。其中仅科技具备DRAM制造能力,其他均为Fabless设计企业。
"存储芯片是AI时代的‘石油‘,中国企业在DRAM领域的突破,正在改写全球存储产业格局。"
DRAM新技术格局
北京君正与中国存储产业全景扫描
DRAM(动态随机存取存储器)是AI算力基础设施的核心组件。2026年,存储三巨头正押注MRDIMM、HBM3E等新一代技术,而中国企业在DRAM领域的布局也进入关键阶段。
DRAM新技术前沿
MRDIMM标准
服务器DRAM模块最新一代标准已进入最后开发阶段,由JEDEC成员三星、SK海力士、美光主导开发。第一子代MRDIMM可达8800MT/s,峰值带宽较标准DDR5 RDIMM提升近40%。
3D DRAM
通过芯片堆叠技术在有限空间内提升存储带宽与容量,同时降低功耗。多家媒体报道指出,3D DRAM通过hyper band绑定能更高效地提供带宽和功耗,有效满足AI芯片与高性能计算芯片对大容量及高带宽的需求。
HBM3E高带宽存储
与GPU集成的高带宽存储技术,为AI训练和推理提供极致内存带宽,是当前AI服务器的主流配置方案。
北京君正的DRAM技术布局
北京君正(300223)在存储芯片领域拥有深厚积累,其DRAM产品线涵盖DDR3/4、LPDDR2/4,容量从16Mb到16Gb,全球车用市场排名第二,仅次于三星。
核心技术能力
1
先进工艺演进
持续推进制程升级,21nm/20nm、18nm、16nm的DRAM新产品预计2025年提供工程样品
2
3D DRAM研发
已启动3D DRAM技术研发,面向AI存储市场,但明确2025年不会量产
3
车规级市场地位
全球车用存储市场龙头地位稳固,SRAM全球车用市场排名第一,DRAM排名第二
技术边界说明
北京君正的AI技术集中于端侧视觉和IoT设备,而非云端大模型训练;存储芯片优势在车规和工业级市场,与Groq/英伟达所需的片上SRAM技术路径不同。
中国掌握DRAM技术的上市公司
全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断90%以上份额。近年来,中国企业在DRAM领域取得突破,目前主要有以下上市公司涉及DRAM业务:
公司
股票代码
DRAM业务定位
市场地位
科技 拟科创板上市 DRAM设计+制造 全球第四、中国第一
北京君正 300223.SZ 车规级DRAM设计 全球车用DRAM第二
兆易创新 603986.SH 利基型DRAM设计 国内存储芯片设计龙头
东芯股份 688110.SH 中小容量DRAM 聚焦利基型存储
关键洞察
•科技是唯一具备DRAM制造能力的中国大陆企业,2025年Q2全球市场份额已达3.97%
•北京君正聚焦车规级DRAM细分市场,在车载存储领域具有差异化竞争优势
•兆易创新、东芯股份等以DRAM设计为主,不涉及制造环节
核心结论
北京君正掌握DRAM技术
北京君正已掌握DDR3/4、LPDDR2/4等DRAM技术,容量覆盖16Mb到16Gb,并在车规级市场占据全球第二的地位。公司已启动3D DRAM技术研发,但尚未量产,与MRDIMM、HBM3E等最新服务器级DRAM技术存在代差。
中国DRAM上市公司格局
中国大陆掌握DRAM技术的上市公司约4家:科技(制造+设计,拟上市)、北京君正(车规级设计)、兆易创新(利基型设计)、东芯股份(中小容量设计)。其中仅科技具备DRAM制造能力,其他均为Fabless设计企业。
"存储芯片是AI时代的‘石油‘,中国企业在DRAM领域的突破,正在改写全球存储产业格局。"
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