兆易创新
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兆易创新(603986.SH / 03986.HK)速览
兆易创新(GigaDevice):2005年成立、北京总部,Fabless(无晶圆厂)芯片设计龙头,A+H两地上市。核心标签:NOR Flash全球第二、国产MCU第一、利基 DRAM 黑马[__ LINK _ ICON ]。
一、核心业务(2025年报)
总营收92.03亿(+25.12%),净利16.48亿(+49.47%),毛利率40.21%。
存储芯片(71.3%,基本盘)
NOR Flash:全球市占18.5%(第二),国内38%(第一),累计出货310亿颗+,端侧AI+车规高景气。
利基型DRAM:全球市占1.7%,聚焦DDR4/8Gb等,量价齐升[__LINK_ICON]。
SLC NAND:全球市占2.2%(第六),国内第一[__LINK_ICON]。
MCU(20.8%,第二增长极)
GD32:国产32位MCU第一,全球第八;69系列/700+型号,累计出货25亿颗+[__LINK_ICON]。
覆盖工业/汽车/AIoT,车规级进比亚迪等。
传感器(4.2%):触控、指纹、气压传感,手机/IoT应用。
模拟芯片(3.6%,高增):并购赛芯后爆发,+460%,电源/信号链[__LINK_ICON]。
二、行业地位与竞品
NOR Flash:华邦(34.8%)> 兆易(18.5%)>旺宏(27.6%)[__LINK_ICON]。
MCU(32位):全球英飞凌/瑞萨领先;国内兆易第一,对标ST/瑞萨[__LINK_ICON]。
DRAM:三星/SK海力士/美光主导;兆易专注利基[__LINK_ICON]。
三、核心亮点
周期反转+国产替代:存储涨价、海外退出,承接份额。
车规+AIoT双驱动:车规NOR/MCU高增;端侧AI拉动代码存储需求[__LINK_ICON]。
财务稳健:负债率~10%、现金充裕、无有息负债。
研发强:2025研发11.5亿,人员占比65.7%[__LINK_ICON]。
四、风险提示
周期波动:存储价格受供需影响大。
竞争加剧:华邦/旺宏挤压NOR;ST/瑞萨+国产厂商竞争MCU。
产能依赖:Fabless模式,代工产能与成本受制约。
要不要我把兆易创新与东阳光、艾华集团做一个关键指标对比,帮你快速判断差异?
兆易创新(GigaDevice):2005年成立、北京总部,Fabless(无晶圆厂)芯片设计龙头,A+H两地上市。核心标签:NOR Flash全球第二、国产MCU第一、利基 DRAM 黑马[__ LINK _ ICON ]。
一、核心业务(2025年报)
总营收92.03亿(+25.12%),净利16.48亿(+49.47%),毛利率40.21%。
存储芯片(71.3%,基本盘)
NOR Flash:全球市占18.5%(第二),国内38%(第一),累计出货310亿颗+,端侧AI+车规高景气。
利基型DRAM:全球市占1.7%,聚焦DDR4/8Gb等,量价齐升[__LINK_ICON]。
SLC NAND:全球市占2.2%(第六),国内第一[__LINK_ICON]。
MCU(20.8%,第二增长极)
GD32:国产32位MCU第一,全球第八;69系列/700+型号,累计出货25亿颗+[__LINK_ICON]。
覆盖工业/汽车/AIoT,车规级进比亚迪等。
传感器(4.2%):触控、指纹、气压传感,手机/IoT应用。
模拟芯片(3.6%,高增):并购赛芯后爆发,+460%,电源/信号链[__LINK_ICON]。
二、行业地位与竞品
NOR Flash:华邦(34.8%)> 兆易(18.5%)>旺宏(27.6%)[__LINK_ICON]。
MCU(32位):全球英飞凌/瑞萨领先;国内兆易第一,对标ST/瑞萨[__LINK_ICON]。
DRAM:三星/SK海力士/美光主导;兆易专注利基[__LINK_ICON]。
三、核心亮点
周期反转+国产替代:存储涨价、海外退出,承接份额。
车规+AIoT双驱动:车规NOR/MCU高增;端侧AI拉动代码存储需求[__LINK_ICON]。
财务稳健:负债率~10%、现金充裕、无有息负债。
研发强:2025研发11.5亿,人员占比65.7%[__LINK_ICON]。
四、风险提示
周期波动:存储价格受供需影响大。
竞争加剧:华邦/旺宏挤压NOR;ST/瑞萨+国产厂商竞争MCU。
产能依赖:Fabless模式,代工产能与成本受制约。
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