存储芯片行业专题研究
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存储芯片行业专题研究
慕容衣
2026-01-21 20:50 · 陕西 ·
中短周期看，价格呈现周期波动
DRAM 的价格周期性：每轮周期约 3~4 年。
从价格周期看，DRAM 从 2012 年至今经历三轮周期。存储芯片，包括 DRAM 和 NAND，具有较强 的周期性，这主要是需求与供给的错配导致。从时间维度看，DRAM 的价格大致以 3-4 年为一个周期。
第一轮周期：12Q3~16Q2 年。12Q3 至 14Q2：周期上行，主要驱动力为智能手机爆发，对 DRAM 的需求增长；14Q3 至 16Q2，周期下行，以 4Gb（512Mb×8）1600MHz 的 DRAM 颗粒为例，其单 价从 4.43 美元跌至 1.44 美元，区间跌幅 67%，主要因为各厂商扩产落地导致供大于求。
第二轮周期：16Q3~19Q4。16Q3 至 18Q2，周期上行，主要因为主要厂商如美光、三星、SK 海力士将主要产能转移生产 3D NAND Flash，DRAM 没有扩产计划，同时需求增长导致 DRAM 颗粒产能 不足并缺货，价格上行，4Gb（512Mb×8） 1600MHz 的 DRAM 颗粒价格区间涨幅 187%；
18Q3 至 19Q4， 周期下行，中美贸易摩擦导致全球下游需求萎靡，服务器、PC、笔电等需求不佳，Dram 供过于求，4Gb （512Mb×8） 1600MHz 的 DRAM 颗粒价格区间跌幅 67%。
第三轮周期：20Q1 至今。疫情下，线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增， 5G 手机升级驱动单机容量升级，带动 DRAM 价格回升。
目前来看，21Q2 PC 需求旺厂商备货，服务器迎 来采购高峰，手机等消费电子逐步进入备货高峰，VGA 卡/游戏机/虚拟货币需求强劲。
21Q3 开始，随着 智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存，DRAM 价格有所回调，价格回调持续至 22Q1， Trendforce 预计本轮降价将持续至 22Q2。20Q1 至今区间涨幅 81%。
NAND Flash 的价格周期性：每轮周期约 3~4 年。
类似 DRAM，NAND Flash 价格具有周期波动特性。2012 年至今，NAND 一共经历三轮周期，一轮 周期大致为 3~4 年。
第一轮周期：12Q3~15Q4。2013 年之前的上行周期驱动力来自智能手机的需求爆发。2013 年 PC 销售量衰减，导致需求持续疲软，同时各大存储厂新增产能开出，价格战激烈，存储芯片整体供大于求。
NAND Flash 价格大幅降低，以 64Gb（8Gb×8）的 NAND Flash 为例，2013Q2-2016Q4，颗粒单价从 6.10 美元跌至 2.32 美元，区间跌幅为 62%。
第二轮周期：16Q1~19Q4。16Q1~17Q2，周期上行，非苹果智能手机品牌为提升产品竞争力加速 提升 eMMC／UFS 的容量，SSD 固态硬盘需求也迎来爆发，NAND Flash 需求不断攀升，而大部分厂商处 于从 2D 转向 3D 的过程中，良率爬升普遍较缓，供给下滑严重，供需不平衡造成 NAND Flash 价格持续 上扬。
周期上行期间，64Gb（8Gb×8）的 NAND Flash 单价区间涨幅为 105%。17Q3~19Q4，周期下行， 厂商 3D NAND 良率提升、大幅扩产，而需求面仅有智能手机需求动能延续。
其他部分如服务器、PC 及 平板需求疲软，NAND Flash 市场价格大幅走弱至 2019 年年底。周期下行期间，64Gb（8Gb×8）的NAND Flash 单价区间跌幅为 50%。
第三轮周期：20Q1 至今。本轮周期主要驱动力为 5G 周期终端设备对数据存储的需求和后疫情时 期 PC、笔电、手机和服务器等需求的恢复。
本轮周期开始，即 20Q1~20Q4，NAND Flash 价格处于震荡 状态，主要因为新冠疫情叠加中美贸易摩擦对需求形成一定压制，疫情缓解后宅经济拉动 PC、平板等需 求，存储需求释放。
21Q~Q2，PC、服务器、手机等消费电子逐步进入备货高峰，NAND Flash 价格上行， 21Q3 开始，随着智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存，NAND Flash 价格有所回调。
价格回调持续至 22Q1，Trendforce 预计 22Q1 仍有 5~10%降幅，Q2 受西部数据/铠侠工厂原材料污染影响， 价格上涨 5~10%。20Q1 至今区间涨幅 40%。
长周期看，单个位元成本呈现下降趋势。根据三星电子，DRAM 技术演进路径主要为缩小工艺制程， 随着工艺制程升级，单位 Gb 成本持续下降。而 NAND Flash 2013 年前技术演进路径为工艺制程。
随着工 艺制程升级，单位 Gb 成本持续下降，2014 年随着 3D NAND 量产，堆叠层数从 32 层持续增长至当前的 192 层，单位 Gb 成本加速下降；同时，伴随存储单元密度提升，从 SLC→MLC→QLC→TLC，进一步促 进了单位 Gb 成本的下降。
NAND Flash 长期成本下降趋势快于 DRAM。根据 McCallum 统计，对比 DRAM 和 NAND Flash 的 成本下降趋势，NAND Flash 单位位元长期价格下降趋势快于 DRAM，且预计随着堆叠层数增加，成本加速下降。
这是由于 NAND Flash 在突破 3D 堆叠后，技术更新迭代较快，具备显著的规模经济，而 DRAM 技术发展历史较长，技术更加成熟，迭代相对缓慢。
竞争格局：马太效应显著，NAND 格局或向 DRAM 演变
DRAM 市场经历一系列并购整合，竞争格局呈现寡头垄断局面
纵观 DRAM 市场 50 余年发展历史，前 30 年以 10 年为一轮周期，市场的领导者由美系厂商转变为日 系厂商，再转变为现在的韩系厂商。
目前 DRAM 市场万家包括处于主导地位的三星电子（韩国）、美光 （美国）、SK 海力士（韩国），以及规模较小的南亚科技（中国台湾）、华邦（中国台湾）、存储（中 国大陆）、紫国国芯（中国大陆）、福建晋华（中国大陆，项目中断）。
近两年兆易创新（2021 年开 始销售自研 DRAM）、北京君正（2020 年完成 DRAM 资产的并购）、东芯股份的 DRAM 也崭露头角。
1970 年代全球的 DRAM 厂商集中在美国，包括 Intel、TI、IBM、Mostek 等厂商。1970 年，Intel 推 出了首款可大规模生产的 1K DRAM 芯片 C1103，一度占据 80%以上的市场份额，是 1K 时代的霸主。
1971-1976 年期间 TI 和 Mostek 分别推出了容量更大（2/4/16K）且成本更低的产品，1970 年代末期 Mostek 市场份额接近 85%。
1978 年原 Mostek 的几名员工创立美光，1981 年美光自有晶圆厂开始投产 64K DRAM；1985 年 Intel 退出 DRAM 市场；1998 年 TI 将储存业务出售给美光，1999 年 IBM 将合资工 厂出售给东芝，退出 DRAM 市场。
1976-1980 年日本“政企学”合作攻坚核心技术，80 年代低价抢占 DRAM 市场份额。
1971 年 NEC （日本电气公司）推出了日本首个 1K DRAM，但技术能力和产品性能与美国差距较大，美国已进入 VLSI（超大规模集成电路）时代，日本还停留在 LSI（大规模集成电路）时代。
1976 年，日立、三菱、 富士通、东芝、NEC 五大公司，以及日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所，联合组 建“VLSI 联合研发体”，投资 720 亿日元（政府出资 320 亿日元），攻坚 DRAM 技术难关。
彼时半导体存 储器主要应用于大型机、电子交换机，使用周期较长，对零部件可靠性要求高。1980 年代日本进入技术 爆发期，而且日企生产的 DRAM 良品率高于美企，形成了成本优势。
在此背景下，日本存储企业发起价 格战，DRAM 单价快速下降，直至 1986 年，日本厂商在全球 DRAM 市场份额达到 86%。
遭遇美国打压，固守大型机市场，错失消费级 PC 发展良机，80 年代末期日企份额急速下滑。美国 在 1986 年和日本签订了日美半导体协议，该协议引入了价格监督制度（限制最低价格），同时约定提高 外国生产的半导体产品在日本国内市场的份额。
80 年代后期，消费级 PC 开始普及，PC 对 DRAM 的寿命 要求比大型机低，但对价格较为敏感。美光和三星电子为首的韩国企业面对市场变化大量生产面向个人 计算机的 DRAM，而日本企业仍固守之前的大型机市场。
1999 年，日立和 NEC 合并了 DRAM 业务，成 立了尔必达存储器，富士通也从面向大型机的 DRAM 业务中撤出，2001 年东芝将 DRAM 业务出售给美 光，2003 年三菱电机的 DRAM 业务被尔必达吸收，2012 年尔必达破产被美光收购。至此，日本 DRAM 厂商几乎淡出市场。
90 年代韩厂获得扶持成为行业龙头，并保持优势至今。
韩国在发展 DRAM 技术初期参照日本模式， 1975 年韩国政府公布了扶持半导体产业的六年计划，1986 年由韩国电子通信研究所牵头，联合三星、LG、 现代三大集团以及韩国六所大学组成“VLSI 共同开发技术计划”，攻关 DRAM 技术研发。该计划共投入 1.1 亿美元，政府承担 57%的研发经费。
美国出于遏制日本 DRAM 厂商发展的目的，对韩国厂商 实施了技术扶持。1992 年，韩国三星超越日本 NEC，成为世界第一大 DRAM 内存制造商，并在其后连 续维持世界第一。
1999 年韩国现代半导体与 LG 半导体合并，2001 年从现代集团完成拆分，将公司名改 为海力士，并于 2012 年更名 SK 海力士。
韩厂的成功得益于技术研发、市场机遇和逆周期投资。技术研发。1983 年在美光和 CITR IX 的 支持下，三星完成 64K DRAM 研发，1984 年量产，落后美国约 10 年；1988 年三星完成 4M DRAM 研发， 仅比日本晚 6 个月；
1992 年三星完成全球第一个 64MB DRAM 研发；1994 年三星将研发成本提升至 9 亿 美元，1996 年三星完成全球第一个 1GB DRAM（DDR2）研发。
市场机遇。在 PC 机时代来临之际， 韩国厂商大力生产面向 PC 的 DRAM，同时期日本和美国签订的半导体协议也使日本厂商丧失了价格优 势。
逆周期投资。在半导体产业的低迷时期，三星仍持续扩大产能，开发更大容量的 DRAM，韩国 政府和财团也在资金方面提供支持。
例如 2007 年全球 DRAM 产能过剩叠加 2008 年金融危机影响， DRAM 价格大跌近 90%，而三星却将相当于 2007 年总利润 118%的资金用于 DRAM 扩产，强大的攻势迫 使诸多竞争对手破产，而三星市占率进一步提升。
欧洲厂商从最初与美资合作，到 2009 年后全部退出市场。西门子、IBM、摩托罗拉创办多个合资工 厂生产 DRAM，1999 年分拆半导体部门成立英飞凌。
2006 年英飞凌将储存业务分拆成立奇梦达，2009 年奇梦达也因金融危机和 DRAM 低价竞争而破产。飞利浦于 1994 年与 IBM 合资成立 SubMicron，但在 IBM 退出 DRAM 市场后，飞利浦也选择了退出。
台厂缺乏核心技术，一轮洗牌之后，现有厂商专注利基市场。中国台湾于 1990 年启动了“次微米制 程技术发展五年计划”，但由于缺乏核心技术，主要靠购买技术授权、制程设备来快速扩充产能，在 2008 年金融危机后陷入困境。
2013 年茂德破产，力晶转型晶圆代工，瑞晶和华亚科技则分别于 2012 年和 2016 年被美光收购。目前中国台湾只剩下南亚科技、华邦、钰创等少数几家，主要专注利基市场。
2016 年开始，中国大陆开始规模地发展自己的 DRAM IDM 体系。大陆在 DRAM 体系上有 40 年的 发展历程，但前期一直受限于市场、技术、产业链不完整等因素，无法与国外的厂商竞争。
中国在 2000 年之后发布了一系列政策推动我国集成电路的发展，2000 年发布《鼓励软件产业和集成电路产业发展的 若干政策》。
2014 年《纲要》颁布以后，依托国家大基金的生态体系，中国大陆半导体产业开始从“做大” 走向“做强”。2016 年 DRAM 厂商晋华集成和存储相继成立。
2019 年合肥建设的中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工厂投产，生产 19nm 工艺制程 8Gb DDR4，预计 2022 年将推出 17nm 工艺制程的 DRAM。
三星电子、SK 海力士和美光三者垄断，市场集中度不断提高。根据 IDC 数据，DRAM 市场 CR3 从 2005 年的 60%增至 2020 年的 95%，前三位一直由三星电子、SK 海力士和美光占据，目前 DRAM 市场已 经形成相对稳定的竞争格局。
NAND 厂商开启并购整合，未来竞争格局或向 DRAM 看齐
NAND Flash 行业正在重复 DRAM 行业的并购整合历程。不同于 DRAM 市场，NAND Flash 一直是 相对集中的市场，2005 年 CR4 为 95.3%，CR6 为 98.7%，2019 年 CR4 为 80.3%，CR6 为 99.7%。
玩家 间呈现一定的并购整合态势，美光、西部数据等并购重组扩大规模，三星的份额有所下降。
2005-2010 年， NAND Flash 厂商共有 10 家，此后英飞凌存储业务/奇梦达破产，Numonyx 2010 年被美光收购，瑞萨、 STV 于 2017 年出售 NAND 业务，此后 Cypress 于 2014 年收购飞索半导体（Spansion），SanDisk 于 2015 年被西部数据收购。
到 2017 年，市场上主要厂商为三星电子、SK 海力士、美光、东芝（铠侠）、英特尔 和西部数据 6 家，呈现群雄逐鹿的态势。
截至 2020 年，三星和 SK 海力士市占率为 33%和 12%，东芝+西 部数据市占率为 34%，美光市占率为 11%，英特尔市占率 9%，六家企业市占率合计 98%以上。
长江存 储作为国产 NAND Flash 厂商于 2017 年成功研制中国第一颗 3D NAND 闪存芯片，2018 年长江存储 32 层 NAND Flash 的量产，2019 年 64 层 NAND Flash 的量产，2020 年推出 128 层 NAND Flash。
并购整合是行业大势，NAND 行业格局有望向 DRAM 看齐。2021 年，SK 海力士已宣布将 90 亿美元 收购英特尔 NAND Flash 及存储业务，两家公司已经签署了相关的协议。
美光和西部数据也有意竞购铠侠， 若收购达成，主要厂商将减少为 4 家（不考虑中国大陆厂商），行业格局向 DRAM 市场看齐。
中国存储芯片自给不足，本土厂商有望崛起
国内存储芯片需求庞大，市场规模超全球的 1/3，但自给率不足 5%。根据 IDC 数据，中国半导体市 场规模占全球份额从 2005 年的 12.2%增至 2020 年的 36.6%，跃居全球第一。
2020 年中国市场中，存储芯 片（包括 DRAM 和 NAND）市场规模为 429 亿美元，占中国半导体市场规模的 30%，占全球存储芯片市 场规模的 35%。
国内存储芯片需求庞大，但自给率极低，考虑长江存储和存储近两年的放量，我们 估算国内存储芯片自给率不足 5%。
庞大内需、新兴应用及政策推动助力国产存储芯片快速发展。参考日本、韩国存储芯片产业的崛起 历程，产业大背景、新兴产业需求和政策扶持是存储产业发展的必要条件。
当前，全球半导体产业向中 国转移，中国大陆也已经建立了完善全面的电子系统产业链体系。除去 PC、手机等传统消费电子场景， 物联网、AI、智能车、云计算等众多新兴市场也在兴起。
因此，庞大内需及新兴应用为国产存储芯片厂 商提供了发展基础，而政策扶持下的供应链国产化提供助力。
相较于智能手机、PC 等消费类市场，政府、电信、金融等关键领域国产化需求迫切。NAND Flash 主要下游为服务器、智能手机和 PC，智能手机面向大众消费，可替代性较强，而服务器和 PC 大量应用 于政府、电信、金融、公用事业等关键领域。
以服务器为例，国内 x86 服务器下游主要为媒体（占比 31%）、政府（19%）、电信（9%）、教育（8%）、金融（8%）、公用事业（3%）、交通（3%）等。
存储芯 片严重依赖进口使得相关行业的有序运行面对巨大的供应风险，这些行业也是国产化需求最迫切、国产 化最为积极的行业。我们预计，政府、电信、金融等关键领域的存储芯片需求在百亿美元以上。
竞争格局方面，大宗产品领域，国产存储厂商与国际大厂仍有差距，利基产品领域，国产化水平较 高。
DRAM 方面，近几年制程迭代速度明显放缓，主流大厂工艺停留在 10nm+阶段，给国产厂商缩小技 术代差创造了机遇。
目前合肥 19nm 工艺已成功量产，17nm 工艺即将推出。NAND Flash 方面，工 艺制程演进相对缓慢，3D 堆叠层数增长迅速。
长江存储已于 2021 年实现 128 层 3D NAND 量产，相比国 际大厂落后约 1 年时间，差距大幅缩小。
利基型存储方面，兆易创新已成为全球第三大厂商，2021 年市 占率约 20%，同时北京君正、东芯股份、普冉股份、聚辰股份等也在快速发展。
相关厂商
大宗市场：国内仅存储和长江存储参与，均未上市
大宗市场方面，格局较为垄断，DRAM 主要由三星电子、美光、SK 海力士三家主导，国内的存 储正在快速发展；NAND 主要由三星电子、美光、SK 海力士、西部数据/铠侠主导，国内的长江存储正在 快速发展。
利基市场：国内参与者众多
利基型存储格局分散，海外大厂正逐步退出，中国厂商迎来替代机遇。
海外大厂，如三星电子、美 光、西部数据、Cypress（被英飞凌收购）等，都保留了一部分利基型存储的业务，包括 2D NAND、 NOR Flash、DRAM（指 DDR3 以及前代产品），但业务重心均在大容量存储产品，正在逐步退出利基市 场。
利基型存储主要厂商分布在中国大陆及中国台湾，规模较大的厂商包括华邦电子（中国台湾）、旺宏 电子（中国台湾）、兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份等，近年来规模持续扩大，逐步替代头部 厂商空出的市场。
分产品看：SLC NAND 方面：除 NAND 大厂外，中国台湾华邦电子、旺宏电子均有布局，中国 大陆有兆易创新、北京君正和东芯股份。
目前东芯股份为大陆 SLC NAND 龙头，工艺制程达到 19nm， 处于国际领先地位；兆易创新和北京君正的 NAND 规模尚小；另外江波龙也有少量 SLC NAND。目前 SLC NAND 代工资源包括中芯国际、中国台湾力晶等。
NOR Flash 方面：领先厂商包括华邦电子、旺宏、兆易创新、Cypress、美光等，普冉股份、东 芯股份也形成了一定规模，此外国内还有恒烁半导体、珠海博雅、芯天下等厂商。
国内 NOR Flash 厂商 产品各有优势，如兆易创新强在产品丰富度、大容量、中高端应用，普冉股份强在工艺特色（ SONO S 工 艺）、低成本，东芯股份强在工艺制程、低成本。目前 NOR Flash 的代工资源包括武汉新芯、中芯国际、 华力微、中国台湾力晶等。
DRAM 方面：国际大厂包括三星电子、美光、SK 海力士，均将重心放在（LP）DDR4、（LP） DDR5、GDDR6 等产品上，逐步退出 DDR3 及前代等利基市场。
利基 DRAM 方面，规模较大的为华邦电 子、旺宏；兆易创新依托合肥的代工资源，19nm DRAM 正在快速放量，即将推出 17nm 产品，目前 聚焦于利基市场；
北京君正采用中国台湾力晶、南亚科技的 25nm 工艺平台，聚焦于车规、工业、医疗等中高 端市场，也属于利基市场。
紫光国芯、东芯股份等均有 DRAM 产品，最新工艺制程均为 25nm， 其中紫光国芯已有 DDR4 产品，东芯股份正在研发 LPDDR4X。
其他环节：各环节均有国内厂商参与，但主控芯片、模组/产品开发、品牌运营上市公司较少
其他环节包括：NAND 主控芯片、封装测试、模组/产品开发、品牌运营。
NAND 主控芯片：市 场由慧荣、群联、美满电子、Innogrit、Microchip 等海外厂商主导，国内厂商有国科微、得一（未上市）、联芸（未上市）。
封装测试：除传统封装测试大厂日月光、矽品、通富、长电、华天等外，还有存储 芯片封装测试厂商力成（中国台湾）、太极实业、深科技、沛顿（未上市）。
模组/产品开发：主要包 括群联（中国台湾）、江波龙、佰维存储等。
品牌运营：品牌运营由芯片原厂 主导，包括三星电子、西部数据、铠侠等，非原厂品牌包括金士顿、Lexar（江波龙旗下）、FO RESE E （江波龙旗下）、威刚（中国台湾）、创见（中国台湾）、宜鼎（中国台湾）。
海外龙头：三星电子、SK 海力士、美光科技主导
三星电子： 存储芯片全球龙头，技术研发持续领先
三星电子业务涵盖锂电池、半导体、CIS 和手机等，1993 年以来始终为全球最大的存储芯片供应商。 三星在 1992 年完成全球第一个 64M DRAM 研发，此后在技术上一直保持行业领先地位：
2009 年开始量 产 30nm NAND Flash，2010 年量产 30nm DRAM 和 20nm NAND Flash，2010 年推出 TLC NAND Flash， 2013 年推出 LPDDR4 和 V-NAND Flash，2016 年推出 HBM2，2018 年推出 LPDDR5，技术研发持续领先 业内。
近 1/4 收入来自存储芯片，体量庞大，逆周期投资能力强。存储器是三星电子的主要营收来源之一 （21Q4 占比 24%），此外还有显示面板、移动通信等部门贡献营收，业绩表现相比 SK 海力士和美光更加 稳定。
自 1999 年以后再无亏损，也正基于这样强大的后备力量，三星电子可以多次在存储领域逆周期投 资挤压竞争对手市场份额。
三星电子已于 21H2 量产基于 EUV 工艺的 DRAM 和基于 176 层 NAND Flash 消费类 SSD。
DRAM 方面，EUV 将全面部署在三星电子的未来几代 DRAM 中。20H2 三星电子开始量产业界首款采用 EUV 技术的 16Gb LPDDR5，采用 1znm 工艺，传输速度为 6400Mb/s，比当今大多数旗舰移动设备中的 12Gb LPDDR5 的速度 5500Mb/s 快约 16%。
后续三星电子规划量产基于第四代 10nm 级（1α）EUV 工艺 的 16Gb DDR5/LPDDR5，并扩大其 LPDDR5 产品在汽车应用中的使用。
NAND Flash 方面，三星电 子开始量产基于双堆栈 176 层第 7 代 V-NAND 的消费级固态硬盘。此外，三星还计划将其第 7 代 VNAND 的使用扩展到数据中心 SSD，第 8 代 V-NAND 产品可能有超过 200+层堆叠。
SK 海力士：收购英特尔闪存业务，成为全球第二大闪存供应商
SK 海力士是全球第二大存储芯片供应商，核心业务包括 DRAM、NAND 和 CIS。SK 海力士于 1983 年以现代电子产业有限公司的名字创立，1985 年开始量产 256K DRAM，2002 年出售 TFT-LCD 业务。
2012 年韩国第三大企业集团 SK 集团收购海力士 21.05%股权，更名为 SK 海力士。2021 年，公司以 90 亿 美元对价完成对英特尔 NAND 业务的收购，成为第二大 NAND 供应商。
早期持续亏损，随着规模扩大，开始持续盈利。2000 年及以前，公司营收稳步扩张，2000 年增至 95 亿美元，但基本处于亏损状态。
2001-2007 年期间，公司营收从 41 亿美元增至 93 亿美元，CAGR 达 14.6%，净利润从-38.5 亿美元增至 3.7 亿美元。2008 年遭遇金融危机以及行业产能过剩，公司营收大幅下 跌 32%，仅实现 63 亿美元营收并亏损 43.7 亿美元。
此后公司营收大致以 3 年为一个上升周期，2018 年公司营收和净利润分别为 368 亿美元和 140 亿美元，达历史峰值，2008-2018 年期间，公司营收 CAGR 达 19.3%。在经历 2019 年的行业低估后，2020 年公司营收和净利润恢复增长，分别为 271 亿美元和 29.3 亿 美元。
从产品结构看，DRAM 占公司营收的 71%，NAND 占 25%，其他占 4%。从应用结构看，公司 DRAM 最大的市场为服务器和移动通信领域，NAND 最大的市场为 SSD 和移动通信领域。
公司已开始量产基于 EUV 工艺的 1αnm DRAM，176 层 3D NAND 也于 2021 年底量产。
DRAM 方面，基于 EUV 光刻的 1αnm LPDDR4 已于 21Q2 量产，计划将 1αnm 工艺用于 DDR5。
公司持续扩张 1znm 技术的 16Gb DRAM 的产能，以满足 64Gb 或更高密度服务器市场需求，还于 2021 年 7 月量产基于 1αnm 的 8Gb LPDDR4。
这是其在 1ynm DRAM 生产部分工艺采用 EUV 光刻后，首次采用 EUV 光刻进行1αnm 量产。预计与 1znm 相比，1αnm 技术将使相同尺寸的晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%。
公司将从 2022 年初开始将 1αnm 技术应用于其 DDR5 产品。
NAND Flash 方面，176 层 3D NAND 于 2021 年底量产。公司目前 NAND 超 50%的销售额为 128 层 3D NAND 贡献，176 层 3D NAND 在 2021 年 底进入量产，预计到 128 层和 176 层合计的销售份额将接近 80%。
美光科技：美国最大存储芯片供应商，尖端制程保持领先
美光是美国最大的存储芯片供应商，产品包括 DRAM、Flash 和 USB 闪存驱动器。1987-2000 年期 间，公司营收从 912 万美元增至 64 亿美元，但连续亏损。
随着规模扩张，2014 年以后公司摆脱了早期连 续亏损的状况，持续盈利，但由于产品毛利率与行业景气周期高度相关，其盈利能力波动较大。
从产品结构看，DRAM 占公司营收的 73%，NAND 占 24%，其他占 3%。
从应用结构看，来自计算 和网络事业部（对应服务器、PC）的收入占 44%，来自移动通讯（对应智能手机等）的收入占 25%，来 自 SSD 及颗粒级产品的收入占 15%，来自嵌入式产品（对应汽车、工业、消费电子）的收入占 15%。
公司为业内首家 1αnm DRAM 量产厂商，EUV 技术预计 2024 年导入 DRAM，176 层 3D NAND 率 先量产。
DRAM 方面，公司 2021 年初开始量产 1αnm 工艺的 DDR4，容量为 8Gb 和 16Gb。2021 年 6 月，公司宣布批量出货 1αnm LPDDR4X。
其导入 EUV 技术的时间延后于三星电子和 SK 海力士，计划 在 2024 年以前在 1-γ 节点在有限的层数中采用 EUV，然后扩展到具有更大层采用率的 1-δ 节点。
NAND 方面，公司 2020 年 11 月已量产全球首款 176 层 3D NAND。公司正在出货 176 层手机闪存 驱动器，可满足 5G 智能手机的快速数据处理需求。
国内厂商：兆易创新、北京君正、东芯股份领头
兆易创新：本土利基存储龙头，NOR+MCU+DRAM 三大产品线全面发力
兆易创新成立于 2005 年，早期从事 NOR Flash 的研发，2011 年组建 MCU 事业部，2013 年发布国内 首款 32 位 MCU 和 SLC NAND，2019 年完成对上海思立微的收购，布局人机识别，2021 年 6 月，首款自 研 DRAM 顺利出货。
自此，公司完成了“存储+控制+人机交互”的全面产品布局，一种存储业务涵盖 NOR Flash、SLC NAND 和 DRAM。
近年来收入规模快速扩大，MCU+NOR+DRAM 开始全面发力。受益于 TWS 等可穿戴产品推动的 NOR Flash 市场景气度上升，近年来公司业绩快速增长。
2016-2020 年营收 CAGR 达 26.3%，近 4 年毛利 率维持在 30%以上；21H1 实现营收 25.9 亿元，同比增长 153.8%。
从产品结构看，公司从 2020 年及以前 的依赖 NOR 成长，发展至 2021 年 MCU+NOR 双轮驱动，2022 年随着自研 DRAM 放量，公司三大主力 产品 MCU+NOR+DRAM 开始全面发力，对应 3 个未来十亿美金体量的业务，成长空间打开。
从收入结 构看，NOR 和 MCU 的产品结构和客户结构持续升级，工业、车载等中高端领域营收贡献增加，公司盈 利质量提升。
分产品线看：
NOR Flash 为主力产品，全球市占率约 20%。公司于 2008 年发布国内首颗 180nm SPI NOR Flash， 此后经历了多次迭代发展，从 90nm 到 65nm，再到 2021 年量产 55nm。
目前公司 NOR Flash 产品容量从 512Kb 至 2Gb，电压涵盖 1.8V、2.5V、3.3V 以及宽电压产品，覆盖客户绝大部分需求，且 2019 年 SPI 接 口产品已通过 AEC-Q100 认证，收入占比逐步提升。NOR Flash 为公司主力产品，目前全球市占率约 20%。
SLC NAND 通过车规级认证，打开成长空间。公司于 2013 年发布第一颗 SPI NAND，2017 年 38nm 量产，此后掌握 38nm 制程 SLC NAND 产品稳定量产能力，并在 2020 年量产了全国产化 24nm 的 4Gb SPI SLC NAND。
目前公司提供 PPI 和 SPI 两种接口产品，容量为 1-8Gb。2022 年初，公司的全国产化38nm SPI NAND 通过 AEC-Q100 车规级认证，容量涵盖 1-4Gb，可用于车载网关、行车记录仪、智能座 舱、TBOX 等，填补了国产大容量车规存储的空白。
自研 DRAM 放量，17nm DDR3 有望 2022 年中量产。公司 DRAM 业务分为代销和自研，代销业务 与存储合作，代销其通用型 DRAM 产品。自研 DRAM 为公司进行芯片设计，存储进行代工。
2021 年 6 月推出并销售 19nm 4Gb DDR4，主要面向 IPC、TV、路由器等利基市场，预计 17nm DDR3 有 望于 2022 年中量产，逐步贡献营收。2022 年公司自研 DRAM 将加速放量，公司预计自研 DRAM 向 存储采购代工费约 8.6 亿元，同比大幅增长 355%。
MCU 产品生态建设中，国产替代空间广阔。公司 2013 年开始在市场推广 MCU 产品，其产品线、生 态系统、产品成熟度不断完善，其内核涵盖 ARM Cortex-M3、M23、M33、M4，并推出全球首个 R ISCV 内核的通用 MCU。
MCU 产能紧缺背景下，公司 MCU 打入更多高端客户供应链，对 ST 等海外厂商形 成替代。工业、汽车等应用占比提升，产品结构持续升级，预计 2021 年占比达到 10%-20%。
新产品方面， 基于 MCU 的电机驱动芯片、电源管理芯片、WiFi 产品陆续推出。车规方面，除现有汽车后装产品外， 公司车规级 MCU 有望于 22 年中量产。
北京君正：嵌入式 CPU 领先厂商，车载 IC 细分龙头
始于自主创新的嵌入式 CPU 技术，本部业务涵盖智能视频芯片和微处理器。公司成立于 2005 年，并于 2011 年上市，由国产微处理器的最早倡导者发起，最初的业务基于公司的自主创新的 CPU 技术，以此为核心 形成 SoC 产品。
目前，公司正在多媒体编解码技术、影像信号处理技术、AI 引擎技术、AI 算法技术等领域持 续投入研发并形成了自主技术，本部业务涵盖智能视频芯片和微处理器两大业务线。
并购北京矽成，拓展存储和模拟产品线，完成“存储+模拟+互联+计算”的产品布局。2020 年公司并购北京 矽成后，业务从智能视频芯片和微处理器两条业务线。
扩展至涵盖 DRAM、Flash、SRAM 等主要存储器类别的存储芯片业务线和包含 LED 驱动芯片、触控传感芯片、MCU、LIN、CAN、G.vn 等在内的模拟与互联芯片 业务线，完成了“存储+模拟+互联+计算”的产品布局。
北京矽成核心资产为 ISSI ，ISSI 为车规级存储芯片龙头。ISSI 成立于 1988 年，1995 年于美国纳斯达克上 市，主营存储芯片（DRAM、Flash、SRAM），随后于 1999 年切入车规级存储及模拟芯片市场，目前已成为细 分领域龙头。
2015 年 ISSI 被北京矽成等组成的财团以 7.8 亿美元私有化收购并退市。ISSI 十余年间持续稳定增 长，1993-2015 年其营收从 3.02 亿元持续增长至 19.36 亿元，22 年间复合增速达 8.8%，私有化后成长提速，营 收规模进一步增长至 2018 年的 28.77 亿元，2015-2018 年复合增速达 14.1%
并购后规模显著扩大，后疫情时期需求恢复，业绩大增。近年来，公司营收保持较快增长，从 2016 年的1.12 亿元增长至 2019 年的 3.39 亿元，复合增速达 44.84%；归母净利润从 2016 年的 705 万元增长至 2019 年的 5866 万元，复合增速达 102.64%。
随着北京矽成并表，公司 2020 年营收大幅增长至 21.70 亿元，同比增长 539.40%，由于收购北京矽成产生合并对价摊销（PPA）的影响，公司归母净利润并未明显增长，全年实现归 母净利润 7320 万元，同比增长 24.79%。
2021 年，伴随着后疫情时期汽车、工业、消费等需求的恢复，叠加晶 圆产能紧张带来的涨价效应，公司 21Q1~Q3 实现营收 37.93 亿元，同比增长 208.85%，实现归母净利润 6.35 亿 元，同比增长 2733.52%。
存储芯片已成为公司主营业务，占比近 70%。2008-2013 年（2014-2015 年数据未披露），公司的主营产品 为便携消费电子 CPU 芯片、便携教育电子 CPU 芯片和移动互联网终端 CPU 芯片。
其中便携消费电子需求紧缩， 收入占比从 2008 年的 73.41%下降至 2013 年的 36.55%，便携教育电子需求兴起，收入占比从 21.62%提升至 61.42%。
2016 年，随着公司战略转向 AIOT ，公司主要产品转变为智能视频芯片和微处理器，至 2019 年，智 能视频芯片占比达 52.61%，微处理器占比达 43.26%。
2020 年收购北京矽成后，公司存储芯片收入占比大幅提 升，截至 2021 年上半年，存储芯片收入占比达 69.11%，模拟及互联占 8.22%，智能视频芯片占 16.55%，微处 理器占 4.06%，存储芯片已成为公司主营业务。
公司已拥有 ISSI、Lumissil 和 Ingenic 三大业务品牌，形成了“存储+模拟+互联+计算”的技术平台。 未来，本部与矽成的产品技术、研发团队、客户资源等协同效应逐步加强，车规级处理器、消费级存储 器都将为公司打开新的成长空间。
东芯股份：本土 SLC NAND 龙头，聚焦利基型存储
聚焦中小容量存储芯片，本土 SLC NAND 龙头。公司聚焦中小容量通用型存储芯片，是国内少数可同时 提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的厂商，其中 SLC NAND 销售规模居国内第一，为国内 龙头。
经过多年的经验积累和技术升级，公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片，产品不仅 在高通、博通、联发科、中兴微、瑞芯微、东芯股份、恒玄科技、紫光展锐等知名平台获得认证。
同时已进入 三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、 安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。
收购韩国 Fidelix 并整合其核心技术，获得华为哈勃、上汽集团、国家大基金二期等投资。公司前身东芯 有限于 2014 年成立，后在中芯国际的工艺平台上开始 SLC NAND 的研发。
2015 年 6 月，东芯有限以受让韩国 Fidelix 公司核心经营团队安承汉等 15.88%股份并增资的方式，合计持有 Fidelix 25.28%的股份，成为其控股股 东、实际控制人，并获得其 NAND、NOR、DRAM 及 MCP（多芯片封装存储器）等技术。
2019 年，东芯有限整体变更为股份公司，并引入中电基金、海通创投等股东，2020 年进一步引入华为哈勃、国开科创、青浦投 资等知名投资机构。2021 年公司进行 IPO 前战略配售，获得上汽集团、国家大基金二期等战略入股，12 月公 司于科创板成功上市。
公司聚焦利基型存储，在三大产品线上不断开发新品
NAND：公司的 SLC NAND 分 SPI 和 PPI 两 种接口，SPI NAND 容量覆盖 512Mb~4Gb，PPI NAND 容量覆盖 1Gb~8Gb，未来公司将陆续推出 1Xnm NAND、 车规级 NAND、DTR NAND（双倍传输速度）。
NOR：目前主要为 SPI NOR，容量覆盖 32Mb~512Mb，未 来将推出更大容量的 NOR 及车规级 NOR。
DRAM：目前拥有 LPDRAM、DDR3、PSRAM、SDRAM 等产 品，其中 DDR3 容量覆盖 1Gb~4Gb，LPDDR1/2 容量覆盖 128Mb~2Gb，未来将推出 LPDDR4X。
收入规模快速扩大，盈利能力显著提升。收入方面，终端市场旺盛需求、国产替代持续推进，叠加产品线 不断完善，客户结构不断优化，公司产品出货量年增长率在 30%以上，2021 年实现营收 11.39 亿元，同比增长 45.3%，近三年复合增速达 30.7%。
利润方面，在 2020 年扭亏后，2021 年公司实现归母净利润 2.62 亿元，同 比增长 1240.8%，净利率约 23%，实现扣非归母净利润 2.55 亿元，同比增长 1352.5%。
SLC NAND 渐成 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决 方案，此外通过自研 DRAM 及外购 SK 海力士的 NAND，也可提供 MCP 产品。
经过多年的产品研发和市场开 拓，公司 SLC NAND 销售占比逐步提升，2021 年上半年销售占比达到 51.3%，NOR、DRAM 和 MCP 的销售 占比分别为 18.8%、6.9%和 20.8%，呈逐年下降趋势。
公司为国产中小容量 NAND 核心标的，2022-2023 年公司的 19nm SLC NAND、LPDDR4X、车规级存储 都有望逐步量产，扩大收入规模，优化产品结构。
慕容衣
2026-01-21 20:50 · 陕西 ·
中短周期看，价格呈现周期波动
DRAM 的价格周期性：每轮周期约 3~4 年。
从价格周期看，DRAM 从 2012 年至今经历三轮周期。存储芯片，包括 DRAM 和 NAND，具有较强 的周期性，这主要是需求与供给的错配导致。从时间维度看，DRAM 的价格大致以 3-4 年为一个周期。
第一轮周期：12Q3~16Q2 年。12Q3 至 14Q2：周期上行，主要驱动力为智能手机爆发，对 DRAM 的需求增长；14Q3 至 16Q2，周期下行，以 4Gb（512Mb×8）1600MHz 的 DRAM 颗粒为例，其单 价从 4.43 美元跌至 1.44 美元，区间跌幅 67%，主要因为各厂商扩产落地导致供大于求。
第二轮周期：16Q3~19Q4。16Q3 至 18Q2，周期上行，主要因为主要厂商如美光、三星、SK 海力士将主要产能转移生产 3D NAND Flash，DRAM 没有扩产计划，同时需求增长导致 DRAM 颗粒产能 不足并缺货，价格上行，4Gb（512Mb×8） 1600MHz 的 DRAM 颗粒价格区间涨幅 187%；
18Q3 至 19Q4， 周期下行，中美贸易摩擦导致全球下游需求萎靡，服务器、PC、笔电等需求不佳，Dram 供过于求，4Gb （512Mb×8） 1600MHz 的 DRAM 颗粒价格区间跌幅 67%。
第三轮周期：20Q1 至今。疫情下，线上经济、居家办公等需求拉动服务器、TV、PC 出货激增， 5G 手机升级驱动单机容量升级，带动 DRAM 价格回升。
目前来看，21Q2 PC 需求旺厂商备货，服务器迎 来采购高峰，手机等消费电子逐步进入备货高峰，VGA 卡/游戏机/虚拟货币需求强劲。
21Q3 开始，随着 智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存，DRAM 价格有所回调，价格回调持续至 22Q1， Trendforce 预计本轮降价将持续至 22Q2。20Q1 至今区间涨幅 81%。
NAND Flash 的价格周期性：每轮周期约 3~4 年。
类似 DRAM，NAND Flash 价格具有周期波动特性。2012 年至今，NAND 一共经历三轮周期，一轮 周期大致为 3~4 年。
第一轮周期：12Q3~15Q4。2013 年之前的上行周期驱动力来自智能手机的需求爆发。2013 年 PC 销售量衰减，导致需求持续疲软，同时各大存储厂新增产能开出，价格战激烈，存储芯片整体供大于求。
NAND Flash 价格大幅降低，以 64Gb（8Gb×8）的 NAND Flash 为例，2013Q2-2016Q4，颗粒单价从 6.10 美元跌至 2.32 美元，区间跌幅为 62%。
第二轮周期：16Q1~19Q4。16Q1~17Q2，周期上行，非苹果智能手机品牌为提升产品竞争力加速 提升 eMMC／UFS 的容量，SSD 固态硬盘需求也迎来爆发，NAND Flash 需求不断攀升，而大部分厂商处 于从 2D 转向 3D 的过程中，良率爬升普遍较缓，供给下滑严重，供需不平衡造成 NAND Flash 价格持续 上扬。
周期上行期间，64Gb（8Gb×8）的 NAND Flash 单价区间涨幅为 105%。17Q3~19Q4，周期下行， 厂商 3D NAND 良率提升、大幅扩产，而需求面仅有智能手机需求动能延续。
其他部分如服务器、PC 及 平板需求疲软，NAND Flash 市场价格大幅走弱至 2019 年年底。周期下行期间，64Gb（8Gb×8）的NAND Flash 单价区间跌幅为 50%。
第三轮周期：20Q1 至今。本轮周期主要驱动力为 5G 周期终端设备对数据存储的需求和后疫情时 期 PC、笔电、手机和服务器等需求的恢复。
本轮周期开始，即 20Q1~20Q4，NAND Flash 价格处于震荡 状态，主要因为新冠疫情叠加中美贸易摩擦对需求形成一定压制，疫情缓解后宅经济拉动 PC、平板等需 求，存储需求释放。
21Q~Q2，PC、服务器、手机等消费电子逐步进入备货高峰，NAND Flash 价格上行， 21Q3 开始，随着智能手机等消费电子需求步入低迷，存储厂商持续去库存，NAND Flash 价格有所回调。
价格回调持续至 22Q1，Trendforce 预计 22Q1 仍有 5~10%降幅，Q2 受西部数据/铠侠工厂原材料污染影响， 价格上涨 5~10%。20Q1 至今区间涨幅 40%。
长周期看，单个位元成本呈现下降趋势。根据三星电子，DRAM 技术演进路径主要为缩小工艺制程， 随着工艺制程升级，单位 Gb 成本持续下降。而 NAND Flash 2013 年前技术演进路径为工艺制程。
随着工 艺制程升级，单位 Gb 成本持续下降，2014 年随着 3D NAND 量产，堆叠层数从 32 层持续增长至当前的 192 层，单位 Gb 成本加速下降；同时，伴随存储单元密度提升，从 SLC→MLC→QLC→TLC，进一步促 进了单位 Gb 成本的下降。
NAND Flash 长期成本下降趋势快于 DRAM。根据 McCallum 统计，对比 DRAM 和 NAND Flash 的 成本下降趋势，NAND Flash 单位位元长期价格下降趋势快于 DRAM，且预计随着堆叠层数增加，成本加速下降。
这是由于 NAND Flash 在突破 3D 堆叠后，技术更新迭代较快，具备显著的规模经济，而 DRAM 技术发展历史较长，技术更加成熟，迭代相对缓慢。
竞争格局：马太效应显著，NAND 格局或向 DRAM 演变
DRAM 市场经历一系列并购整合，竞争格局呈现寡头垄断局面
纵观 DRAM 市场 50 余年发展历史，前 30 年以 10 年为一轮周期，市场的领导者由美系厂商转变为日 系厂商，再转变为现在的韩系厂商。
目前 DRAM 市场万家包括处于主导地位的三星电子（韩国）、美光 （美国）、SK 海力士（韩国），以及规模较小的南亚科技（中国台湾）、华邦（中国台湾）、存储（中 国大陆）、紫国国芯（中国大陆）、福建晋华（中国大陆，项目中断）。
近两年兆易创新（2021 年开 始销售自研 DRAM）、北京君正（2020 年完成 DRAM 资产的并购）、东芯股份的 DRAM 也崭露头角。
1970 年代全球的 DRAM 厂商集中在美国，包括 Intel、TI、IBM、Mostek 等厂商。1970 年，Intel 推 出了首款可大规模生产的 1K DRAM 芯片 C1103，一度占据 80%以上的市场份额，是 1K 时代的霸主。
1971-1976 年期间 TI 和 Mostek 分别推出了容量更大（2/4/16K）且成本更低的产品，1970 年代末期 Mostek 市场份额接近 85%。
1978 年原 Mostek 的几名员工创立美光，1981 年美光自有晶圆厂开始投产 64K DRAM；1985 年 Intel 退出 DRAM 市场；1998 年 TI 将储存业务出售给美光，1999 年 IBM 将合资工 厂出售给东芝，退出 DRAM 市场。
1976-1980 年日本“政企学”合作攻坚核心技术，80 年代低价抢占 DRAM 市场份额。
1971 年 NEC （日本电气公司）推出了日本首个 1K DRAM，但技术能力和产品性能与美国差距较大，美国已进入 VLSI（超大规模集成电路）时代，日本还停留在 LSI（大规模集成电路）时代。
1976 年，日立、三菱、 富士通、东芝、NEC 五大公司，以及日本工业技术研究院电子综合研究所和计算机综合研究所，联合组 建“VLSI 联合研发体”，投资 720 亿日元（政府出资 320 亿日元），攻坚 DRAM 技术难关。
彼时半导体存 储器主要应用于大型机、电子交换机，使用周期较长，对零部件可靠性要求高。1980 年代日本进入技术 爆发期，而且日企生产的 DRAM 良品率高于美企，形成了成本优势。
在此背景下，日本存储企业发起价 格战，DRAM 单价快速下降，直至 1986 年，日本厂商在全球 DRAM 市场份额达到 86%。
遭遇美国打压，固守大型机市场，错失消费级 PC 发展良机，80 年代末期日企份额急速下滑。美国 在 1986 年和日本签订了日美半导体协议，该协议引入了价格监督制度（限制最低价格），同时约定提高 外国生产的半导体产品在日本国内市场的份额。
80 年代后期，消费级 PC 开始普及，PC 对 DRAM 的寿命 要求比大型机低，但对价格较为敏感。美光和三星电子为首的韩国企业面对市场变化大量生产面向个人 计算机的 DRAM，而日本企业仍固守之前的大型机市场。
1999 年，日立和 NEC 合并了 DRAM 业务，成 立了尔必达存储器，富士通也从面向大型机的 DRAM 业务中撤出，2001 年东芝将 DRAM 业务出售给美 光，2003 年三菱电机的 DRAM 业务被尔必达吸收，2012 年尔必达破产被美光收购。至此，日本 DRAM 厂商几乎淡出市场。
90 年代韩厂获得扶持成为行业龙头，并保持优势至今。
韩国在发展 DRAM 技术初期参照日本模式， 1975 年韩国政府公布了扶持半导体产业的六年计划，1986 年由韩国电子通信研究所牵头，联合三星、LG、 现代三大集团以及韩国六所大学组成“VLSI 共同开发技术计划”，攻关 DRAM 技术研发。该计划共投入 1.1 亿美元，政府承担 57%的研发经费。
美国出于遏制日本 DRAM 厂商发展的目的，对韩国厂商 实施了技术扶持。1992 年，韩国三星超越日本 NEC，成为世界第一大 DRAM 内存制造商，并在其后连 续维持世界第一。
1999 年韩国现代半导体与 LG 半导体合并，2001 年从现代集团完成拆分，将公司名改 为海力士，并于 2012 年更名 SK 海力士。
韩厂的成功得益于技术研发、市场机遇和逆周期投资。技术研发。1983 年在美光和 CITR IX 的 支持下，三星完成 64K DRAM 研发，1984 年量产，落后美国约 10 年；1988 年三星完成 4M DRAM 研发， 仅比日本晚 6 个月；
1992 年三星完成全球第一个 64MB DRAM 研发；1994 年三星将研发成本提升至 9 亿 美元，1996 年三星完成全球第一个 1GB DRAM（DDR2）研发。
市场机遇。在 PC 机时代来临之际， 韩国厂商大力生产面向 PC 的 DRAM，同时期日本和美国签订的半导体协议也使日本厂商丧失了价格优 势。
逆周期投资。在半导体产业的低迷时期，三星仍持续扩大产能，开发更大容量的 DRAM，韩国 政府和财团也在资金方面提供支持。
例如 2007 年全球 DRAM 产能过剩叠加 2008 年金融危机影响， DRAM 价格大跌近 90%，而三星却将相当于 2007 年总利润 118%的资金用于 DRAM 扩产，强大的攻势迫 使诸多竞争对手破产，而三星市占率进一步提升。
欧洲厂商从最初与美资合作，到 2009 年后全部退出市场。西门子、IBM、摩托罗拉创办多个合资工 厂生产 DRAM，1999 年分拆半导体部门成立英飞凌。
2006 年英飞凌将储存业务分拆成立奇梦达，2009 年奇梦达也因金融危机和 DRAM 低价竞争而破产。飞利浦于 1994 年与 IBM 合资成立 SubMicron，但在 IBM 退出 DRAM 市场后，飞利浦也选择了退出。
台厂缺乏核心技术，一轮洗牌之后，现有厂商专注利基市场。中国台湾于 1990 年启动了“次微米制 程技术发展五年计划”，但由于缺乏核心技术，主要靠购买技术授权、制程设备来快速扩充产能，在 2008 年金融危机后陷入困境。
2013 年茂德破产，力晶转型晶圆代工，瑞晶和华亚科技则分别于 2012 年和 2016 年被美光收购。目前中国台湾只剩下南亚科技、华邦、钰创等少数几家，主要专注利基市场。
2016 年开始，中国大陆开始规模地发展自己的 DRAM IDM 体系。大陆在 DRAM 体系上有 40 年的 发展历程，但前期一直受限于市场、技术、产业链不完整等因素，无法与国外的厂商竞争。
中国在 2000 年之后发布了一系列政策推动我国集成电路的发展，2000 年发布《鼓励软件产业和集成电路产业发展的 若干政策》。
2014 年《纲要》颁布以后，依托国家大基金的生态体系，中国大陆半导体产业开始从“做大” 走向“做强”。2016 年 DRAM 厂商晋华集成和存储相继成立。
2019 年合肥建设的中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工厂投产，生产 19nm 工艺制程 8Gb DDR4，预计 2022 年将推出 17nm 工艺制程的 DRAM。
三星电子、SK 海力士和美光三者垄断，市场集中度不断提高。根据 IDC 数据，DRAM 市场 CR3 从 2005 年的 60%增至 2020 年的 95%，前三位一直由三星电子、SK 海力士和美光占据，目前 DRAM 市场已 经形成相对稳定的竞争格局。
NAND 厂商开启并购整合，未来竞争格局或向 DRAM 看齐
NAND Flash 行业正在重复 DRAM 行业的并购整合历程。不同于 DRAM 市场，NAND Flash 一直是 相对集中的市场，2005 年 CR4 为 95.3%，CR6 为 98.7%，2019 年 CR4 为 80.3%，CR6 为 99.7%。
玩家 间呈现一定的并购整合态势，美光、西部数据等并购重组扩大规模，三星的份额有所下降。
2005-2010 年， NAND Flash 厂商共有 10 家，此后英飞凌存储业务/奇梦达破产，Numonyx 2010 年被美光收购，瑞萨、 STV 于 2017 年出售 NAND 业务，此后 Cypress 于 2014 年收购飞索半导体（Spansion），SanDisk 于 2015 年被西部数据收购。
到 2017 年，市场上主要厂商为三星电子、SK 海力士、美光、东芝（铠侠）、英特尔 和西部数据 6 家，呈现群雄逐鹿的态势。
截至 2020 年，三星和 SK 海力士市占率为 33%和 12%，东芝+西 部数据市占率为 34%，美光市占率为 11%，英特尔市占率 9%，六家企业市占率合计 98%以上。
长江存 储作为国产 NAND Flash 厂商于 2017 年成功研制中国第一颗 3D NAND 闪存芯片，2018 年长江存储 32 层 NAND Flash 的量产，2019 年 64 层 NAND Flash 的量产，2020 年推出 128 层 NAND Flash。
并购整合是行业大势，NAND 行业格局有望向 DRAM 看齐。2021 年，SK 海力士已宣布将 90 亿美元 收购英特尔 NAND Flash 及存储业务，两家公司已经签署了相关的协议。
美光和西部数据也有意竞购铠侠， 若收购达成，主要厂商将减少为 4 家（不考虑中国大陆厂商），行业格局向 DRAM 市场看齐。
中国存储芯片自给不足，本土厂商有望崛起
国内存储芯片需求庞大，市场规模超全球的 1/3，但自给率不足 5%。根据 IDC 数据，中国半导体市 场规模占全球份额从 2005 年的 12.2%增至 2020 年的 36.6%，跃居全球第一。
2020 年中国市场中，存储芯 片（包括 DRAM 和 NAND）市场规模为 429 亿美元，占中国半导体市场规模的 30%，占全球存储芯片市 场规模的 35%。
国内存储芯片需求庞大，但自给率极低，考虑长江存储和存储近两年的放量，我们 估算国内存储芯片自给率不足 5%。
庞大内需、新兴应用及政策推动助力国产存储芯片快速发展。参考日本、韩国存储芯片产业的崛起 历程，产业大背景、新兴产业需求和政策扶持是存储产业发展的必要条件。
当前，全球半导体产业向中 国转移，中国大陆也已经建立了完善全面的电子系统产业链体系。除去 PC、手机等传统消费电子场景， 物联网、AI、智能车、云计算等众多新兴市场也在兴起。
因此，庞大内需及新兴应用为国产存储芯片厂 商提供了发展基础，而政策扶持下的供应链国产化提供助力。
相较于智能手机、PC 等消费类市场，政府、电信、金融等关键领域国产化需求迫切。NAND Flash 主要下游为服务器、智能手机和 PC，智能手机面向大众消费，可替代性较强，而服务器和 PC 大量应用 于政府、电信、金融、公用事业等关键领域。
以服务器为例，国内 x86 服务器下游主要为媒体（占比 31%）、政府（19%）、电信（9%）、教育（8%）、金融（8%）、公用事业（3%）、交通（3%）等。
存储芯 片严重依赖进口使得相关行业的有序运行面对巨大的供应风险，这些行业也是国产化需求最迫切、国产 化最为积极的行业。我们预计，政府、电信、金融等关键领域的存储芯片需求在百亿美元以上。
竞争格局方面，大宗产品领域，国产存储厂商与国际大厂仍有差距，利基产品领域，国产化水平较 高。
DRAM 方面，近几年制程迭代速度明显放缓，主流大厂工艺停留在 10nm+阶段，给国产厂商缩小技 术代差创造了机遇。
目前合肥 19nm 工艺已成功量产，17nm 工艺即将推出。NAND Flash 方面，工 艺制程演进相对缓慢，3D 堆叠层数增长迅速。
长江存储已于 2021 年实现 128 层 3D NAND 量产，相比国 际大厂落后约 1 年时间，差距大幅缩小。
利基型存储方面，兆易创新已成为全球第三大厂商，2021 年市 占率约 20%，同时北京君正、东芯股份、普冉股份、聚辰股份等也在快速发展。
相关厂商
大宗市场：国内仅存储和长江存储参与，均未上市
大宗市场方面，格局较为垄断，DRAM 主要由三星电子、美光、SK 海力士三家主导，国内的存 储正在快速发展；NAND 主要由三星电子、美光、SK 海力士、西部数据/铠侠主导，国内的长江存储正在 快速发展。
利基市场：国内参与者众多
利基型存储格局分散，海外大厂正逐步退出，中国厂商迎来替代机遇。
海外大厂，如三星电子、美 光、西部数据、Cypress（被英飞凌收购）等，都保留了一部分利基型存储的业务，包括 2D NAND、 NOR Flash、DRAM（指 DDR3 以及前代产品），但业务重心均在大容量存储产品，正在逐步退出利基市 场。
利基型存储主要厂商分布在中国大陆及中国台湾，规模较大的厂商包括华邦电子（中国台湾）、旺宏 电子（中国台湾）、兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份等，近年来规模持续扩大，逐步替代头部 厂商空出的市场。
分产品看：SLC NAND 方面：除 NAND 大厂外，中国台湾华邦电子、旺宏电子均有布局，中国 大陆有兆易创新、北京君正和东芯股份。
目前东芯股份为大陆 SLC NAND 龙头，工艺制程达到 19nm， 处于国际领先地位；兆易创新和北京君正的 NAND 规模尚小；另外江波龙也有少量 SLC NAND。目前 SLC NAND 代工资源包括中芯国际、中国台湾力晶等。
NOR Flash 方面：领先厂商包括华邦电子、旺宏、兆易创新、Cypress、美光等，普冉股份、东 芯股份也形成了一定规模，此外国内还有恒烁半导体、珠海博雅、芯天下等厂商。
国内 NOR Flash 厂商 产品各有优势，如兆易创新强在产品丰富度、大容量、中高端应用，普冉股份强在工艺特色（ SONO S 工 艺）、低成本，东芯股份强在工艺制程、低成本。目前 NOR Flash 的代工资源包括武汉新芯、中芯国际、 华力微、中国台湾力晶等。
DRAM 方面：国际大厂包括三星电子、美光、SK 海力士，均将重心放在（LP）DDR4、（LP） DDR5、GDDR6 等产品上，逐步退出 DDR3 及前代等利基市场。
利基 DRAM 方面，规模较大的为华邦电 子、旺宏；兆易创新依托合肥的代工资源，19nm DRAM 正在快速放量，即将推出 17nm 产品，目前 聚焦于利基市场；
北京君正采用中国台湾力晶、南亚科技的 25nm 工艺平台，聚焦于车规、工业、医疗等中高 端市场，也属于利基市场。
紫光国芯、东芯股份等均有 DRAM 产品，最新工艺制程均为 25nm， 其中紫光国芯已有 DDR4 产品，东芯股份正在研发 LPDDR4X。
其他环节：各环节均有国内厂商参与，但主控芯片、模组/产品开发、品牌运营上市公司较少
其他环节包括：NAND 主控芯片、封装测试、模组/产品开发、品牌运营。
NAND 主控芯片：市 场由慧荣、群联、美满电子、Innogrit、Microchip 等海外厂商主导，国内厂商有国科微、得一（未上市）、联芸（未上市）。
封装测试：除传统封装测试大厂日月光、矽品、通富、长电、华天等外，还有存储 芯片封装测试厂商力成（中国台湾）、太极实业、深科技、沛顿（未上市）。
模组/产品开发：主要包 括群联（中国台湾）、江波龙、佰维存储等。
品牌运营：品牌运营由芯片原厂 主导，包括三星电子、西部数据、铠侠等，非原厂品牌包括金士顿、Lexar（江波龙旗下）、FO RESE E （江波龙旗下）、威刚（中国台湾）、创见（中国台湾）、宜鼎（中国台湾）。
海外龙头：三星电子、SK 海力士、美光科技主导
三星电子： 存储芯片全球龙头，技术研发持续领先
三星电子业务涵盖锂电池、半导体、CIS 和手机等，1993 年以来始终为全球最大的存储芯片供应商。 三星在 1992 年完成全球第一个 64M DRAM 研发，此后在技术上一直保持行业领先地位：
2009 年开始量 产 30nm NAND Flash，2010 年量产 30nm DRAM 和 20nm NAND Flash，2010 年推出 TLC NAND Flash， 2013 年推出 LPDDR4 和 V-NAND Flash，2016 年推出 HBM2，2018 年推出 LPDDR5，技术研发持续领先 业内。
近 1/4 收入来自存储芯片，体量庞大，逆周期投资能力强。存储器是三星电子的主要营收来源之一 （21Q4 占比 24%），此外还有显示面板、移动通信等部门贡献营收，业绩表现相比 SK 海力士和美光更加 稳定。
自 1999 年以后再无亏损，也正基于这样强大的后备力量，三星电子可以多次在存储领域逆周期投 资挤压竞争对手市场份额。
三星电子已于 21H2 量产基于 EUV 工艺的 DRAM 和基于 176 层 NAND Flash 消费类 SSD。
DRAM 方面，EUV 将全面部署在三星电子的未来几代 DRAM 中。20H2 三星电子开始量产业界首款采用 EUV 技术的 16Gb LPDDR5，采用 1znm 工艺，传输速度为 6400Mb/s，比当今大多数旗舰移动设备中的 12Gb LPDDR5 的速度 5500Mb/s 快约 16%。
后续三星电子规划量产基于第四代 10nm 级（1α）EUV 工艺 的 16Gb DDR5/LPDDR5，并扩大其 LPDDR5 产品在汽车应用中的使用。
NAND Flash 方面，三星电 子开始量产基于双堆栈 176 层第 7 代 V-NAND 的消费级固态硬盘。此外，三星还计划将其第 7 代 VNAND 的使用扩展到数据中心 SSD，第 8 代 V-NAND 产品可能有超过 200+层堆叠。
SK 海力士：收购英特尔闪存业务，成为全球第二大闪存供应商
SK 海力士是全球第二大存储芯片供应商，核心业务包括 DRAM、NAND 和 CIS。SK 海力士于 1983 年以现代电子产业有限公司的名字创立，1985 年开始量产 256K DRAM，2002 年出售 TFT-LCD 业务。
2012 年韩国第三大企业集团 SK 集团收购海力士 21.05%股权，更名为 SK 海力士。2021 年，公司以 90 亿 美元对价完成对英特尔 NAND 业务的收购，成为第二大 NAND 供应商。
早期持续亏损，随着规模扩大，开始持续盈利。2000 年及以前，公司营收稳步扩张，2000 年增至 95 亿美元，但基本处于亏损状态。
2001-2007 年期间，公司营收从 41 亿美元增至 93 亿美元，CAGR 达 14.6%，净利润从-38.5 亿美元增至 3.7 亿美元。2008 年遭遇金融危机以及行业产能过剩，公司营收大幅下 跌 32%，仅实现 63 亿美元营收并亏损 43.7 亿美元。
此后公司营收大致以 3 年为一个上升周期，2018 年公司营收和净利润分别为 368 亿美元和 140 亿美元，达历史峰值，2008-2018 年期间，公司营收 CAGR 达 19.3%。在经历 2019 年的行业低估后，2020 年公司营收和净利润恢复增长，分别为 271 亿美元和 29.3 亿 美元。
从产品结构看，DRAM 占公司营收的 71%，NAND 占 25%，其他占 4%。从应用结构看，公司 DRAM 最大的市场为服务器和移动通信领域，NAND 最大的市场为 SSD 和移动通信领域。
公司已开始量产基于 EUV 工艺的 1αnm DRAM，176 层 3D NAND 也于 2021 年底量产。
DRAM 方面，基于 EUV 光刻的 1αnm LPDDR4 已于 21Q2 量产，计划将 1αnm 工艺用于 DDR5。
公司持续扩张 1znm 技术的 16Gb DRAM 的产能，以满足 64Gb 或更高密度服务器市场需求，还于 2021 年 7 月量产基于 1αnm 的 8Gb LPDDR4。
这是其在 1ynm DRAM 生产部分工艺采用 EUV 光刻后，首次采用 EUV 光刻进行1αnm 量产。预计与 1znm 相比，1αnm 技术将使相同尺寸的晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加 25%。
公司将从 2022 年初开始将 1αnm 技术应用于其 DDR5 产品。
NAND Flash 方面，176 层 3D NAND 于 2021 年底量产。公司目前 NAND 超 50%的销售额为 128 层 3D NAND 贡献，176 层 3D NAND 在 2021 年 底进入量产，预计到 128 层和 176 层合计的销售份额将接近 80%。
美光科技：美国最大存储芯片供应商，尖端制程保持领先
美光是美国最大的存储芯片供应商，产品包括 DRAM、Flash 和 USB 闪存驱动器。1987-2000 年期 间，公司营收从 912 万美元增至 64 亿美元，但连续亏损。
随着规模扩张，2014 年以后公司摆脱了早期连 续亏损的状况，持续盈利，但由于产品毛利率与行业景气周期高度相关，其盈利能力波动较大。
从产品结构看，DRAM 占公司营收的 73%，NAND 占 24%，其他占 3%。
从应用结构看，来自计算 和网络事业部（对应服务器、PC）的收入占 44%，来自移动通讯（对应智能手机等）的收入占 25%，来 自 SSD 及颗粒级产品的收入占 15%，来自嵌入式产品（对应汽车、工业、消费电子）的收入占 15%。
公司为业内首家 1αnm DRAM 量产厂商，EUV 技术预计 2024 年导入 DRAM，176 层 3D NAND 率 先量产。
DRAM 方面，公司 2021 年初开始量产 1αnm 工艺的 DDR4，容量为 8Gb 和 16Gb。2021 年 6 月，公司宣布批量出货 1αnm LPDDR4X。
其导入 EUV 技术的时间延后于三星电子和 SK 海力士，计划 在 2024 年以前在 1-γ 节点在有限的层数中采用 EUV，然后扩展到具有更大层采用率的 1-δ 节点。
NAND 方面，公司 2020 年 11 月已量产全球首款 176 层 3D NAND。公司正在出货 176 层手机闪存 驱动器，可满足 5G 智能手机的快速数据处理需求。
国内厂商：兆易创新、北京君正、东芯股份领头
兆易创新：本土利基存储龙头，NOR+MCU+DRAM 三大产品线全面发力
兆易创新成立于 2005 年，早期从事 NOR Flash 的研发，2011 年组建 MCU 事业部，2013 年发布国内 首款 32 位 MCU 和 SLC NAND，2019 年完成对上海思立微的收购，布局人机识别，2021 年 6 月，首款自 研 DRAM 顺利出货。
自此，公司完成了“存储+控制+人机交互”的全面产品布局，一种存储业务涵盖 NOR Flash、SLC NAND 和 DRAM。
近年来收入规模快速扩大，MCU+NOR+DRAM 开始全面发力。受益于 TWS 等可穿戴产品推动的 NOR Flash 市场景气度上升，近年来公司业绩快速增长。
2016-2020 年营收 CAGR 达 26.3%，近 4 年毛利 率维持在 30%以上；21H1 实现营收 25.9 亿元，同比增长 153.8%。
从产品结构看，公司从 2020 年及以前 的依赖 NOR 成长，发展至 2021 年 MCU+NOR 双轮驱动，2022 年随着自研 DRAM 放量，公司三大主力 产品 MCU+NOR+DRAM 开始全面发力，对应 3 个未来十亿美金体量的业务，成长空间打开。
从收入结 构看，NOR 和 MCU 的产品结构和客户结构持续升级，工业、车载等中高端领域营收贡献增加，公司盈 利质量提升。
分产品线看：
NOR Flash 为主力产品，全球市占率约 20%。公司于 2008 年发布国内首颗 180nm SPI NOR Flash， 此后经历了多次迭代发展，从 90nm 到 65nm，再到 2021 年量产 55nm。
目前公司 NOR Flash 产品容量从 512Kb 至 2Gb，电压涵盖 1.8V、2.5V、3.3V 以及宽电压产品，覆盖客户绝大部分需求，且 2019 年 SPI 接 口产品已通过 AEC-Q100 认证，收入占比逐步提升。NOR Flash 为公司主力产品，目前全球市占率约 20%。
SLC NAND 通过车规级认证，打开成长空间。公司于 2013 年发布第一颗 SPI NAND，2017 年 38nm 量产，此后掌握 38nm 制程 SLC NAND 产品稳定量产能力，并在 2020 年量产了全国产化 24nm 的 4Gb SPI SLC NAND。
目前公司提供 PPI 和 SPI 两种接口产品，容量为 1-8Gb。2022 年初，公司的全国产化38nm SPI NAND 通过 AEC-Q100 车规级认证，容量涵盖 1-4Gb，可用于车载网关、行车记录仪、智能座 舱、TBOX 等，填补了国产大容量车规存储的空白。
自研 DRAM 放量，17nm DDR3 有望 2022 年中量产。公司 DRAM 业务分为代销和自研，代销业务 与存储合作，代销其通用型 DRAM 产品。自研 DRAM 为公司进行芯片设计，存储进行代工。
2021 年 6 月推出并销售 19nm 4Gb DDR4，主要面向 IPC、TV、路由器等利基市场，预计 17nm DDR3 有 望于 2022 年中量产，逐步贡献营收。2022 年公司自研 DRAM 将加速放量，公司预计自研 DRAM 向 存储采购代工费约 8.6 亿元，同比大幅增长 355%。
MCU 产品生态建设中，国产替代空间广阔。公司 2013 年开始在市场推广 MCU 产品，其产品线、生 态系统、产品成熟度不断完善，其内核涵盖 ARM Cortex-M3、M23、M33、M4，并推出全球首个 R ISCV 内核的通用 MCU。
MCU 产能紧缺背景下，公司 MCU 打入更多高端客户供应链，对 ST 等海外厂商形 成替代。工业、汽车等应用占比提升，产品结构持续升级，预计 2021 年占比达到 10%-20%。
新产品方面， 基于 MCU 的电机驱动芯片、电源管理芯片、WiFi 产品陆续推出。车规方面，除现有汽车后装产品外， 公司车规级 MCU 有望于 22 年中量产。
北京君正：嵌入式 CPU 领先厂商，车载 IC 细分龙头
始于自主创新的嵌入式 CPU 技术，本部业务涵盖智能视频芯片和微处理器。公司成立于 2005 年，并于 2011 年上市，由国产微处理器的最早倡导者发起，最初的业务基于公司的自主创新的 CPU 技术，以此为核心 形成 SoC 产品。
目前，公司正在多媒体编解码技术、影像信号处理技术、AI 引擎技术、AI 算法技术等领域持 续投入研发并形成了自主技术，本部业务涵盖智能视频芯片和微处理器两大业务线。
并购北京矽成，拓展存储和模拟产品线，完成“存储+模拟+互联+计算”的产品布局。2020 年公司并购北京 矽成后，业务从智能视频芯片和微处理器两条业务线。
扩展至涵盖 DRAM、Flash、SRAM 等主要存储器类别的存储芯片业务线和包含 LED 驱动芯片、触控传感芯片、MCU、LIN、CAN、G.vn 等在内的模拟与互联芯片 业务线，完成了“存储+模拟+互联+计算”的产品布局。
北京矽成核心资产为 ISSI ，ISSI 为车规级存储芯片龙头。ISSI 成立于 1988 年，1995 年于美国纳斯达克上 市，主营存储芯片（DRAM、Flash、SRAM），随后于 1999 年切入车规级存储及模拟芯片市场，目前已成为细 分领域龙头。
2015 年 ISSI 被北京矽成等组成的财团以 7.8 亿美元私有化收购并退市。ISSI 十余年间持续稳定增 长，1993-2015 年其营收从 3.02 亿元持续增长至 19.36 亿元，22 年间复合增速达 8.8%，私有化后成长提速，营 收规模进一步增长至 2018 年的 28.77 亿元，2015-2018 年复合增速达 14.1%
并购后规模显著扩大，后疫情时期需求恢复，业绩大增。近年来，公司营收保持较快增长，从 2016 年的1.12 亿元增长至 2019 年的 3.39 亿元，复合增速达 44.84%；归母净利润从 2016 年的 705 万元增长至 2019 年的 5866 万元，复合增速达 102.64%。
随着北京矽成并表，公司 2020 年营收大幅增长至 21.70 亿元，同比增长 539.40%，由于收购北京矽成产生合并对价摊销（PPA）的影响，公司归母净利润并未明显增长，全年实现归 母净利润 7320 万元，同比增长 24.79%。
2021 年，伴随着后疫情时期汽车、工业、消费等需求的恢复，叠加晶 圆产能紧张带来的涨价效应，公司 21Q1~Q3 实现营收 37.93 亿元，同比增长 208.85%，实现归母净利润 6.35 亿 元，同比增长 2733.52%。
存储芯片已成为公司主营业务，占比近 70%。2008-2013 年（2014-2015 年数据未披露），公司的主营产品 为便携消费电子 CPU 芯片、便携教育电子 CPU 芯片和移动互联网终端 CPU 芯片。
其中便携消费电子需求紧缩， 收入占比从 2008 年的 73.41%下降至 2013 年的 36.55%，便携教育电子需求兴起，收入占比从 21.62%提升至 61.42%。
2016 年，随着公司战略转向 AIOT ，公司主要产品转变为智能视频芯片和微处理器，至 2019 年，智 能视频芯片占比达 52.61%，微处理器占比达 43.26%。
2020 年收购北京矽成后，公司存储芯片收入占比大幅提 升，截至 2021 年上半年，存储芯片收入占比达 69.11%，模拟及互联占 8.22%，智能视频芯片占 16.55%，微处 理器占 4.06%，存储芯片已成为公司主营业务。
公司已拥有 ISSI、Lumissil 和 Ingenic 三大业务品牌，形成了“存储+模拟+互联+计算”的技术平台。 未来，本部与矽成的产品技术、研发团队、客户资源等协同效应逐步加强，车规级处理器、消费级存储 器都将为公司打开新的成长空间。
东芯股份：本土 SLC NAND 龙头，聚焦利基型存储
聚焦中小容量存储芯片，本土 SLC NAND 龙头。公司聚焦中小容量通用型存储芯片，是国内少数可同时 提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决方案的厂商，其中 SLC NAND 销售规模居国内第一，为国内 龙头。
经过多年的经验积累和技术升级，公司打造了以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片，产品不仅 在高通、博通、联发科、中兴微、瑞芯微、东芯股份、恒玄科技、紫光展锐等知名平台获得认证。
同时已进入 三星电子、海康威视、歌尔股份、传音控股、惠尔丰等国内外知名客户的供应链体系，被广泛应用于通讯设备、 安防监控、可穿戴设备、移动终端等终端产品。
收购韩国 Fidelix 并整合其核心技术，获得华为哈勃、上汽集团、国家大基金二期等投资。公司前身东芯 有限于 2014 年成立，后在中芯国际的工艺平台上开始 SLC NAND 的研发。
2015 年 6 月，东芯有限以受让韩国 Fidelix 公司核心经营团队安承汉等 15.88%股份并增资的方式，合计持有 Fidelix 25.28%的股份，成为其控股股 东、实际控制人，并获得其 NAND、NOR、DRAM 及 MCP（多芯片封装存储器）等技术。
2019 年，东芯有限整体变更为股份公司，并引入中电基金、海通创投等股东，2020 年进一步引入华为哈勃、国开科创、青浦投 资等知名投资机构。2021 年公司进行 IPO 前战略配售，获得上汽集团、国家大基金二期等战略入股，12 月公 司于科创板成功上市。
公司聚焦利基型存储，在三大产品线上不断开发新品
NAND：公司的 SLC NAND 分 SPI 和 PPI 两 种接口，SPI NAND 容量覆盖 512Mb~4Gb，PPI NAND 容量覆盖 1Gb~8Gb，未来公司将陆续推出 1Xnm NAND、 车规级 NAND、DTR NAND（双倍传输速度）。
NOR：目前主要为 SPI NOR，容量覆盖 32Mb~512Mb，未 来将推出更大容量的 NOR 及车规级 NOR。
DRAM：目前拥有 LPDRAM、DDR3、PSRAM、SDRAM 等产 品，其中 DDR3 容量覆盖 1Gb~4Gb，LPDDR1/2 容量覆盖 128Mb~2Gb，未来将推出 LPDDR4X。
收入规模快速扩大，盈利能力显著提升。收入方面，终端市场旺盛需求、国产替代持续推进，叠加产品线 不断完善，客户结构不断优化，公司产品出货量年增长率在 30%以上，2021 年实现营收 11.39 亿元，同比增长 45.3%，近三年复合增速达 30.7%。
利润方面，在 2020 年扭亏后，2021 年公司实现归母净利润 2.62 亿元，同 比增长 1240.8%，净利率约 23%，实现扣非归母净利润 2.55 亿元，同比增长 1352.5%。
SLC NAND 渐成 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片完整解决 方案，此外通过自研 DRAM 及外购 SK 海力士的 NAND，也可提供 MCP 产品。
经过多年的产品研发和市场开 拓，公司 SLC NAND 销售占比逐步提升，2021 年上半年销售占比达到 51.3%，NOR、DRAM 和 MCP 的销售 占比分别为 18.8%、6.9%和 20.8%，呈逐年下降趋势。
公司为国产中小容量 NAND 核心标的，2022-2023 年公司的 19nm SLC NAND、LPDDR4X、车规级存储 都有望逐步量产，扩大收入规模，优化产品结构。
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