0526:明日看修复
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昨天的盘面特点是资金极度抱团:芯片板块成交1.5万亿接近全市场的一半,成交额前300只已经能占到全部成交量的2/3。 今天这种情况依然在持续,市场成交额前100名,总额近八千亿,大票抽血严重,小票继续挨揍,昨天3进4pk的小票,今天1个修复的没有,不是跌停就是大跌,微盘股指数都跌到半年线了。涨停46个,跌停16个,连板高度又回到3板,明天又是3进4的pk。
上证指数横盘震荡,看起来是资金今天无心进攻上方压力位,压力位不破自然是要震荡调整,不向下杀跌已经符合预期。两市成交再度放大至 3.24 万亿,较前一日增量近 400 亿,天量依旧,赚钱效应也依旧极度割裂,近四千只个股收跌,市场彻底沦为一九分化,比昨天二八分还过份。 全市场的涨跌比是1:3,而成交额前50的涨跌比却是1.6:1,成交额前30名的,70%都是红盘。
主流风格还是机构大票主导的,尤其是科技硬件方面,易中天、胜宏、华虹、京东方、沪电等,还是一副强者恒强的样子,即便是市场调整的时候,硬件板块也依然有很多活口,有很多大票逆势拉升,反而是小票充满了随机性。
今天又多了一个梗,华为韬定律成为了套定律,昨日半日强,今天大幅调整,但是,涨停板封单额最高的前两个票,都是韬定律的核心:华天和长电。
今天韬定律调整,一个是强发酵之后的分化,属于预期内,只是力度有点过。另一个原因,是早盘摩根士丹利更新 Rubin 拆解与价格测算确认 VR200(Rubin NVL72)ODM 采购价约 780 万美元 / 台,较 GB300(约 399 万)几乎翻倍,午后又有小作文确认量产时点:6 月启动试产,7 月首批向北美云巨头(微软 / 谷歌 / 亚马逊 / Meta)出货。所以今天rubin题材对韬定律也造成了分流。
后续AI硬件方向,很可能是海外链与国产链的轮流坐庄,其中两头都占的票,会不会两头红利都能吃到呢?
从上周五炒rubin,到昨天炒韬定律,能走出持续性的,还是核心,尤其是核心中的核心。
AI硬件分歧,资金去了哪里?一部分又去了电力抱团,华电比较强,一部分去了贵金属有色钼与铝,一部分去了消费、医药避险,还有一部分轮动机器人,但午后资金回流AI硬件,结果上午五六个涨停都炸了,只有中大尾盘勉强回封。机器人目前还没有能力与科技线形成真正的跷跷板。大盘尾盘拉回来,靠的啥?核心还是靠科技大票。
对于今天的拉尾盘,看法也是分歧的,有人认为是资金对科技线的认可,完成了日内分歧转一致,也有人说透支了明天的预期。
5月以来以来,波动明显加大, 有观点认为这是标准的鱼尾行情,剧烈波动之下,赚的时候很快,亏的时候也很快。
明天,还是看修复,如果明天没有像样的修复,那就要准备防守了。 最近的走势,都是跌了之后又创新高,比如科创50这种图形,趋势滚动持仓,应该是最舒服的姿势,所谓滚动,就是做T,高抛低吸。

今日操作:
今天重仓单吊一只华海诚科,这种操作之前很少做,预留的仓位准备拿来每天滚动做T。 最近每天都要外出,经常只能用手机看盘,只能精简操作。
选华海诚科,也算一种取巧,它在算力链中最大的三个热点:英伟达rubin、华为韬定律和长鑫存储IPO,都属于供应链中的细分核心。而且,横盘调整了好几天,应该动起来了吧。华海前天出了减持,是一个短期利空,但之前看到长盈通出了减持次日立即出清,结果后面涨上了天,倒不是想对标长盈通,主要还是看中华海的逻辑:
华海诚科是国内唯一、全球第二家能量产 HBM 专用 GMC 的企业(此前被日本住友电木垄断)
供货与认证情况(已进入主流供应链)
国内封测厂:长电科技、通富微电、华天科技 → 批量供货
国际客户:
SK 海力士:4 层 HBM 已认证并批量供货;8 层验证中;12 层同步研发
通过日月光切入台积电 HBM 供应链
华为:哈勃持股,适配昇腾 HBM / 先进封装
长鑫存储:HBM2E 封装 GMC/MUF 独家供应
今夜美股美光大涨,美光在西安有一个全球最大 DRAM /NAND 封测中心之一,太极实业、长电、通富、深科技、华海诚科等都通过了其供应链认证。
当然,还是之前的观点,资金逻辑高于题材逻辑,再好的题材概念也需要资金认可。真正强的票,大多调整一周就原地满血,华海目前在阶段顶部横盘已经一周了,要是还不起来,那就不是真强。如果拿错了,靠做T拿回本钱换个票再做。
铁打的模式流水的票。
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到底什么是“真3D”芯片?
三维集成是在垂直方向堆叠多个独立芯片或功能层,借助硅通孔(TSV)、层间互连通孔(ILV)等专用互连结构实现电信号传输,让逻辑、存储、传感等功能垂直协同工作。它并非近年突然兴起,而是有着跨越半个世纪的技术演进史。
三维集成技术的研究始于20世纪70年代末期。当时,一些研究机构开始在实验室中尝试芯片垂直堆叠,但由于光刻技术在缩小特征尺寸方面仍然十分有效,加上当时串行三维集成面临严重的技术瓶颈,该领域的发展极为缓慢。物理学家费曼早在1985年便表达了这一愿景:“提升计算能力的另一个方向是制造三维的物理机器。”日本在1986年便建立了3D路线图,计划在1990至2000年间在芯片内设计并实现三维硅集成;MIT也在此期间开发了通过晶圆面对面键合与埋层氧化物通孔蚀刻的3D硅集成技术。
真正让3D集成进入产业视野的是日本在1975年启动的三维器件堆叠研究,最初针对 DRAM 、NAND等存储应用。进入21世纪后,随着传统封装技术逼近极限,“先进封装”作为延续摩尔定律的新利器逐渐浮出水面。2010年前后,台积电推出CoWoS、三星推出I-Cube、英特尔推出EMIB,2.5D/3D封装开始进入大规模商用阶段。这些技术的共同特征是通过TSV、微凸块等互连结构,将多个芯片在垂直方向堆叠,大幅提升集成度和带宽。
然而,上述技术本质上是“先进封装技术的延伸”——它们将已完成制造的芯片通过TSV和混合键合在封装层面垂直连接,而非在晶圆制造过程中逐层构建晶体管。这种路线被称为“并行3D集成”或“晶圆堆叠”。与之相对,“单片式3D集成”(M3D)才是真正的“3D芯片”——在同一晶圆上顺序加工多层有源晶体管和后道互连,借助光刻机的高精度对准,实现纳米级层间通信。由于在硅基M3D中面临热预算、散热等工程难题长期未能解决,这一路线此前多年仅停留在学术实验室中。
三代技术演进:封装堆叠vs单片集成,差了一代
以业界通行视角,三维集成大致可分为三代:
第一代:封装层面的3D堆叠(并行3D集成)
代表为HBM、AMD3DV-Cache,本质上通过TSV和微凸块在封装阶段连接多个独立芯片。技术成熟,已实现大规模量产。国内长电科技等龙头在此领域已形成国际竞争力。
第二代:晶圆级3D堆叠(先进Chiplet集成)
代表为台积电CoWoS、SoIC平台,通过混合键合实现晶圆间高密度互连。2025年,台积电将互连间距缩短至6μm,目标到2029年进一步缩小至4.5μm。国内已实现CoWoS‑S、2.5D封装、Chiplet的规模化量产,前沿3D封装技术仍在追赶。
第三代:单片式3D集成(M3D)
代表为 DARP A 3DSoC项目支持的碳纳米管路线,直接在晶圆制造过程中逐层构建多层有源器件。这是三代技术中唯有美国已经开始探索产业化的前沿领域。
理解了这一代际划分,中美两国在3D芯片领域的格局便豁然清晰:中国在第二代路线的量产层面具备实力并在快速赶超,美国则在第三代路线的原型验证上占据先机。
美国怎么做?砸钱、拉人、押注碳纳米管
DARPA:90nm做出比7nm强50倍的芯片
美国的碳纳米管3D芯片之路,始于2017年DARPA启动的电子复兴倡议(ERI)。这项为期五年、总投资超过20亿美元的宏大计划,诞生于半导体产业面临的关键转折点——摩尔定律放缓。在计划的结构框架下,材料与元件整合方向聚焦于三维晶片系统(3DSoC)和新型计算的材料(FRANC)两大核心项目。整个ERI计划被分为三个重点:结构(软硬件系统)、设计(智能设计与开源硬件)、材料与元件整合。
其中,3DSoC是ERI中投资规模最大的项目,单项资助高达6100万美元。项目目标极为明确:利用90nm等成熟工艺节点,实现比7nm先进节点芯片高50倍以上的性能功耗比。
ERI计划随后持续迭代。2025年10月,DARPA推出了ERI2.0,从三维异构集成等前沿技术层面进一步重塑美国微电子产业的全球竞争力。
MIT天才Shulaker:从碳管计算机到真3D芯片
MIT副教授MaxShulaker是这一路线的学术灵魂人物。2013年,博士在读的Shulaker研发出全球首台碳纳米晶体管计算机,开创性地证明了计算设备可以摆脱硅基依赖。2016年,他加入MIT并建立“新型电子系统研究组”。随后,其团队提出了将碳纳米晶体管(CNFET)与阻变随机存取存储器(RRAM)通过垂直堆叠形成逻辑与存储交错的3D芯片架构。碳纳米管具备原子级薄的通道(约1nm)和超高载流子迁移率,能量延迟积预估比硅基FinFET高出一个数量级。
2025年12月,美国斯坦福大学、卡内基梅隆大学等院校工程师团队与本土晶圆厂SkyWaterTechnology合作,成功制造出首个商用单片3D芯片。该原型在SkyWater的200mm晶圆生产线上采用成熟的90nm至130nm工艺制造,堆栈集成了传统的硅CMOS逻辑电路、电阻式RAM层和碳纳米管场效应晶体管,所有组件均在约415°C的热预算下制造。该芯片采用垂直堆叠架构将内存与计算单元集成,通过高密度垂直连接突破“内存墙”和“微型化墙”,实测性能达同类2D芯片的四倍。从技术路线看,该研究采用的是整体式3D集成,而非传统封装层面的芯片堆叠;其芯片堆栈架构从底层到顶层依次为硅CMOS逻辑层、RRAM存储层、CNFET逻辑层和CNFET传感/逻辑层,通过低温工艺逐层构建。
目前,SkyWater正联合MIT、Stanford等团队推进商业化,该项目成果发表在IEDM2025大会上,标志着碳纳米管3D集成正式走出学术实验室,迈入产业验证阶段。SkyWater的战略意义在于其少数由美国完全独资控制的芯片代工厂身份——相较而言,格罗方德实际由阿布扎比政府基金控股,不符合美国在高端芯片领域“自主可控”的战略诉求。
凭什么是碳纳米管?这四点碾压硅
与传统硅基3D集成技术相比,碳纳米管单片3D路线在多个维度展现出颠覆性优势:
互连密度:TSV互连为微米级,而M3D通过层间通孔(MIV/ILV)连接,直径仅为纳米级(约100nm),连接密度比TSV高出10,000倍。
电学性能:碳纳米管的能量延迟积比硅CMOS优越10倍以上;具备超高室温载流子迁移率、极低本征电容,可实现无掺杂CMOS技术。
热特性:单根CNT热导率达1000‑6600W/m·K,远超铜(约400W/m·K),且热膨胀系数与硅衬底匹配,有效降低热应力失效风险。
低温工艺兼容性:CNFET制备温度可控制在200°C以下,彻底解决了硅基M3D长期面临的>1000°C高温破坏底层结构的热预算难题。
全球抢材料:美国有Aligned,中国出了个苏州烯晶
在碳纳米管晶圆材料这一战略环节,少数玩家正在世界范围内展开竞争:
在国际材料标准方面,芯片级CNT需要同时满足半导体纯度达99.9999%(6N)、管径集中在1.2‑1.5nm、晶圆级完美平行阵列、大面积均匀性、低缺陷密度和低温工艺兼容性等六项严苛指标。2025年,全球高纯度半导体级碳纳米管产能仅能满足市场需求的65%,供给缺口明显。量产仍需时间
尽管原型验证成功,碳纳米管单片3D芯片距离大规模量产仍有较长路程。核心挑战包括:CNT的精准对准与高密度排列技术仍需攻关;大面积晶圆的均匀性尚待进一步提升;商业化路径的不确定性——从原型到代工厂大规模量产通常需要5‑10年。作为对比,台积电在2022年已实现3nm量产,并在2025年将SoIC技术的互连间距缩短至6μm,目标到2029年缩小至4.5μm。因此,美国碳纳米管M3D当前阶段的战略意义更在于抢占了下一代芯片的技术定义权,而非立即改变市场格局。
中国怎么走?华为“韬定律”,用架构换时间
EUV被卡脖子,华为另辟新赛道
在3D芯片的全球竞赛中,中国面临着独特的约束条件:先进制程工艺受限、高端EUV光刻机获取受阻。2026年5月25日,华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波在 ISCA S2026上正式发表了半导体“韬(τ)定律”,这是中国在全球半导体领域首次自主提出产业指导性原则。韬定律的核心在于以“时间缩微”替代“几何缩微”——不靠缩小晶体管尺寸,而是将“时间本身”作为技术进步的核心衡量指标,通过逻辑折叠、3D堆叠、光互联等系统级架构创新实现性能跃迁。
用更直观的比喻来说:传统摩尔定律如同不断缩小砖块盖更多平房,逻辑折叠则是将平房改为楼房——通过垂直堆叠实现等效晶体管密度的跃升。在器件层,优化晶体管结构与互连寄生参数,从底层降低时间常数τ;在电路层,通过逻辑折叠缩短关键路径走线;在芯片层,通过软硬协同设计优化指令流与数据流;在系统层,通过统一总线重构互联协议,降低系统通信时延。华为预计,到2031年,基于韬定律的高端芯片晶体管密度将达到等效1.4nm制程水平。
逻辑折叠+光互联:把平房改成楼房
韬定律落地有两个核心手段。第一是逻辑折叠——将原本平铺在二维平面的逻辑门电路通过三维布局垂直堆叠,使信号从横向长距离传输变为纵向短距穿梭,关键路径走线长度可缩短50%以上,大幅降低RC延迟。逻辑折叠技术的全面演进(从局部关键路径折叠到集成三层以上有源层的多层级折叠架构)有赖于两大技术支撑:一是低温混合键合技术,有助于放宽各堆叠层之间的热预算要求;二是TSV落点从顶层金属层下移至M6金属层,此举可释放超过30%的高层布线资源。
第二是系统级光互联。当单颗AI芯片带宽提升至数Tb/s级别时,传统铜互连在物理层面将难以为继。华为为此开发了高密度光互连节点引擎Hi‑ONE——一种近封装光引擎,可为每个模块提供8Tb/s带宽,并通过单条光链路实现与AI芯片总线带宽相匹配的传输能力。此外,内存语义统一总线架构统一系统互联协议,降低端到端通信时延。三者的结合,构成了韬定律从芯片到系统的全栈技术闭环。
381款芯片已经量产验证
韬定律的提出并非空泛的学术概念,而是建立在过去六年381款芯片的量产验证基础上,覆盖手机SoC、AI昇腾、基带、射频、车载等全品类。两大量产级验证案例展现出显著成效:
移动SoC方面:逻辑折叠技术在相同器件节点下实现晶体管密度55%的阶跃式提升及41%的能效增益。2026年秋季,首款完整采用逻辑折叠技术的麒麟2026芯片将面世,在未依赖更先进光刻机的情况下,晶体管密度达到238MTr/mm²,逼近台积电3nm的280MTr/mm²。2027年的麒麟2027将继续采用逻辑折叠,频率提升至3.39GHz;到2029年,麒麟2029的CPU频率将突破4GHz。
AI系统方面:由内存语义统一总线架构、近封装Hi‑ONE光学I/O以及3D折叠技术共同构成的协同设计技术栈,预计到2035年将实现超过100倍的硬件集成度增长。昇腾芯片方面,2026年的昇腾950以及随后的昇腾990将采用Chiplet、2.5D扇出和通过微凸块及标准间距混合键合的3D堆叠等成熟技术的组合;到2030年前后,昇腾990将把逻辑折叠技术引入AI芯片领域,此后3D堆叠成为2035年前性能扩展系数的主要载体。沿此路径,AI硬件集成度预计到2035年增长100倍以上。
国内先进封装:产能大幅提升,70%晶圆要本地化
在3D芯片的量产层面,中国先进封装已具备相当实力。在产能建设方面,全球头部封测厂商持续在高性能封装领域扩产;国内封测龙头与国际巨头在先进封装技术上几乎同步发展,形成有力追赶。在本地化采购方面,2026年中国芯片厂商所用晶圆的70%需从本土供应商采购,已成为国内芯片厂商间的不成文硬性要求。
就3D封装产业的商业落地阶段而言,台积电SoIC技术正处于快速量产爬坡期:2026年,随着台积电嘉义、铜锣先进封装厂产能开出,3D堆叠良率趋于稳定,预计会有更多非GPU的高效能芯片采用3D封装;2027‑2028年预计将成为3D封装在消费级高阶产品普及的爆发期。中国在这一进程中正在同步推进国产替代,形成自身的发展节奏。
华为也没放弃碳基:硅基为主,碳基储备
值得注意的是,中国路径并非完全排斥碳基路线。韬定律的战略框架在材料物理层面涵盖了碳基芯片、碳化硅衬底、磷化铟光芯片等新材料的跨代选择。目前,华为已联手北京元芯碳基集成电路研究院,共同研发碳基晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备相关专利,主攻方向为碳纳米管芯片和半导体材料。这一项目将3000个碳纳米管晶体管集成为张量处理器芯片,将碳基电子学从器件研究推向系统演示。此外,华为正联合中芯国际开发碳基3nmGAA芯片,计划2026年前后流片。因此,更准确地说,华为采取的是“硅基为主、碳基储备”的双轨并行策略。
两种路线,谁更有戏?
一张表看懂本质差异
更为根本的战略分野在于:华为路线是在美国先进制程封锁下的现实突围策略,以成熟产能和架构创新争取时间与空间;美国前沿路线则是从材料底层发起的战略进攻,试图重新定义整个芯片制造的根基。
市场有多大?
从产业规模来看,3D芯片市场已进入高速扩张通道。多家调研机构给出了不同维度的预测:
恒州诚思数据显示,2025年全球三维集成电路(3DIC)收入规模约3383.8亿元,预计2032年达到8455.3亿元,年复合增长率(CAGR)约12.0%。
另有数据显示,3DIC与2.5DIC封装市场在2025年估值约1510.2亿美元,预计到2032年增长至9096.6亿美元,CAGR高达29.24%。
2.5D和3D半导体封装市场预计从2025年的111.2亿美元增长至2031年的251.8亿美元,CAGR约14.6%。
三维半导体封装市场则预计从2025年的约41.84亿美元增长至2032年的133.2亿美元,CAGR约18.3%。
不同维度预测数据存在差异反映了统计口径(3DIC、3D封装、2.5D/3D封装的内涵外延各有不同),但共同指向一个明确结论:3D芯片相关市场正以双位数乃至三位数的年增长率快速扩张。在这股浪潮中,中国本土化配套正在加速——2026年第一季度国内先进封装本土配套率已提升至68%,国产替代正进入全面加速期。
A股哪些公司值得关注?两条主线拆清楚
主线一:华为韬定律带火的硅基3D堆叠产业链
在3D堆叠架构下,先进封装从传统的“后道配角”跃升为决定芯片性能的核心工艺。这不仅带来了封测工序的倍增——测试工序由2次增至6次以上,也将显著提升产业链各环节的战略价值。
(1)封测厂:测试工序从2次变6次
长电科技( 600584 ):全球第三、国内封测龙头。2025年上半年营收186.05亿元,同比增长20.14%,其中2.5D/3D封装收入同比暴增217%。XDFOI平台实现5层RDL、线宽/线距2μm,拿下英伟达、AMD、华为昇腾910B等高端订单。
通富微电( 002156 ):AMD核心封测供应商。VISionS平台融合2.5D/3D/MCM‑Chiplet,3DNAND堆叠良率超过90%,TSV成本较海外低40%。
甬矽电子( 688362 ):国内高端先进封装测试服务商,聚焦先进封装细分领域。
(2)设备材料:国产替代的关键突破口
拓荆科技( 688072 ):国内前道薄膜沉积设备龙头,前瞻布局混合键合设备,DIONE300系列为国产唯一量产型号。3D堆叠对ALD、CVD需求激增。
北方华创( 002371 ):刻蚀及薄膜沉积设备持续突破,受益于GAA架构带来的刻蚀工艺增量及3D堆叠对设备需求的拉动。
华海诚科( 688535 ):国内环氧塑封料龙头,受益于先进封装材料国产化进程。
联瑞新材( 688300 ):高端球形硅微粉国产供应商,先进封装材料国产化主力。
江丰电子( 300666 ):靶材国产替代代表企业,在RDL、TSV、Bumping、混合键合工艺中均有应用。
(3)晶圆代工:中芯国际成熟制程重估
中芯国际( 688981 ):本土代工龙头,作为华为海思麒麟与昇腾芯片的核心代工伙伴,其成熟制程产线(14nm/28nm)直接受益于韬定律路线,将迎来成熟制程价值重估。
主线二:碳纳米管——下一代芯片的“核材料”
在A股中,与碳纳米管相关的上市公司主要集中在锂电池导电剂领域,但正逐步向半导体级领域拓展。
天奈科技( 688116 ):国内碳纳米管导电浆料绝对龙头。2025年实现碳纳米管粉体239.62吨,同比增长207.25%,在多壁碳纳米管导电浆料市场国内份额达51.6%,连续多年稳居行业首位。更重要的是,公司正从锂电池领域向半导体级领域战略跃迁:高纯度单壁碳纳米管产品已规模化落地交付;与中科院苏州纳米所成立先进碳基电子材料联合实验室,已提供碳纳米管材料样品进行验证;
通过参股苏州烯晶半导体间接切入半导体级CNT晶圆赛道,后者已率先实现8英寸碳纳米管晶圆量产并达到严苛的Fab进线标准。
第二梯队:黑猫、道氏、莱尔、沃特
黑猫股份( 002068 ):已建成500吨/年碳纳米管粉体产能;道氏技术( 300409 ):单壁碳纳米管粉体已吨级量产并出货;莱尔科技( 688683 ):产品覆盖碳纳米管粉体、导电浆料及涂碳箔;沃特股份( 002886 ):碳纳米管复合材料已向华为供货。
第三梯队:金田股份等
金田股份( 601609 ):通过参股“超材料基金”投资苏州烯晶半导体。
整体来看,国内CNT产业链已形成以天奈科技为核心,多家企业在原料、复合材料等细分领域协同发展的竞争格局。
结论:双轨竞赛下的战略选择
回顾3D芯片半个世纪的发展历程,从20世纪70年代的学术探索到90年代的日本路线图,再到2010年前后的先进封装商用化,3D集成始终站在半导体技术革新的前沿。而2025年至2026年的一系列里程碑事件——美国SkyWater的碳纳米管M3D原型成功制造、华为韬定律的正式发布——标志着这一进程迈入了真正的“双轨竞赛”阶段。
两条路线各有其合理性。华为韬定律路线依托成熟的硅基工业基础和完整的产业链生态,具有快速规模化量产的现实优势,是在外部封锁下争取产业空间的务实选择。美国DARPA碳纳米管路线则从材料底层寻求颠覆性突破,虽产业化尚需时日,但在技术定义权的争夺中已抢得先机。
对于投资者而言,两条主线具有截然不同的投资逻辑:
华为韬定律驱动的硅基3D堆叠产业链属于中短期确定性高的方向——在国产替代加速和政策支持的背景下,封测龙头和核心设备材料企业有望在未来2‑3年内持续释放业绩弹性。
碳纳米管产业链则属于长期战略布局方向——虽然半导体级收入占比极低,但天奈科技及苏州烯晶等企业已展现出从“送样验证”迈向商业化量产的显著潜力,是把握下一代芯片材料革命的关键入口。
3D芯片的竞争将不仅是技术与工艺的比拼,更是产业链、创新生态与国家战略的全面较量。在这场双轨竞赛中,谁能将技术突破与产业落地有效衔接,谁就有望赢得后摩尔时代的入场券。
一、AI
1)国产AI芯片首批安全可靠名单公布
2)AI模型更新潮
接下来6月,将进入AI模型密集更新潮。
国外方面:Claude Opus 4.8、Claude Sonnet 4.8、GPT-5.6近期内测泄露预热,马斯克称Grok V9-Medium(Grok 5)两三周后发布,Gemini 3.5 Pro下个月对外开放。
国内方面:ds v4.1被曝定档6月。根据大模型季度更新的节奏,6月或迎来MiniMax M3、Kimi K3、GLM 5.2等多个大模型的迭代升级。
大模型更新潮有望催化大模型厂商ARR的快速增长。......
另外,根据OpenRouter,上周ds v4-flash周调用量环比+57%,连续两周登顶榜首。
中国AI大模型周调用量达9.22万亿Token,环比增长19.89%,连续四周超过美国并稳居全球首位。
3)支付宝推出Token Pay,MiniMax、阶跃星辰官宣合作
二、有色
钨
卖方:预计钨精矿价格近期将在30-40万区间企稳。
据中钨在线,今天65%黑钨精矿41万/吨,65%白钨精矿40.9万/吨,APT66万/吨,废钨棒630元/千克。
1)几内亚拟6月限制铝土矿出口(中国进口铝土矿约3/4来自几内亚)
2)消息人士透露,一家全球铝生产商在对日谈判中提出,7-9月氧化铝溢价要求为每吨480美元,较当前季度上涨36%-37%
三、美股航天大涨
受SpaceX上市乐观情绪提振,美股航天大涨
其他重要新闻:
1、央视财经:AI短剧出海订单预计暴增5000% 不少企业正加码布局海外定制内容
2、新闻联播:今年前4个月,3D打印设备产量同比增长50.9%
3、南方电网电力负荷提前一个月创新高
4、乐聚智能IPO已问询,东方证券保荐
5、英特尔加码玻璃基板,新墨西哥州工厂瞄准全球首座量产基地
6、SK海力士发布iHBM冷却方案 硅基材料可降低热阻超30%
7、个股:
仕佳光子:终止购买福可喜玛通讯公司事项
盛视科技:全资子公司签署60亿元算力产业合作协议
天赐材料:拟开展年产16万吨高压实磷酸铁锂项目前期工作 预计总投资不超过21亿元
一、iHBM 新概念:内置硅基 “冷片”,热阻 - 30%
iHBM = integrated Cooling HBM,SK 海力士 5 月 26 日发布,用于下一代 HBM5,核心是把冷却做到封装内部。
1)核心痛点
HBM 堆叠层数越来越多(12 层→16 层→24 层)、带宽 / 功耗飙升,D2D PHY 区域(HBM 与 GPU 互联处)最热,传统靠核心芯片间接散热已到极限。
2)iHBM 原理:ICE 硅基冷却元件
ICE(Integrated Cooling Element):绝缘、高导热硅基材料,直接嵌入最热的 D2D PHY 区域。
传统:热量→核心芯片→向外散(路径长、热阻大)。
iHBM:ICE 在热点处直接建专用散热通道,热阻降低 30%+。
3)量产与兼容性
采用成熟 WLP/MR-MUF 工艺,可大规模量产。
与现有 SiP 封装高度兼容,客户无需大幅改设计即可用。
落地节奏:2026 下半年 HBM5 导入,2027 放量。
一句话总结:iHBM = HBM 内部埋硅基冷片,定点给最热区降温,热阻降 30%,HBM5 标配。
二、A 股受益概念股(按环节)
提示:ICE/iHBM 核心是 SK 海力士自研;A 股都是材料 / 封测 / 设备 / 分销配套。
1)先进封测(最直接受益)
太极实业 600667 :子公司海太半导体(55%)是 SK 海力士中国大陆唯一 DRAM 封测基地,HBM3E 稳定量产(良率 > 99%),iHBM(HBM5)核心封装订单已锁定。
长电科技 600584 :全球第三封测,SK 海力士 HBM3E 核心伙伴,8 层堆叠良率 98.5%,XDFOI 技术适配 iHBM 的 2.5D/3D 架构,HBM5 验证中。
通富微电 002156 :国内第二封测,SK 海力士 HBM3E 2.5D 服务商,TGV 玻璃基板适配 iHBM 散热结构,HBM4 验证完成。
2)封装材料(硅基 / 高导热 / 填充胶)
华海诚科 688535 :HBM 封装 ** 专用环氧塑封料(EMC)** 核心供应商,适配 iHBM 高导热、高绝缘要求。
雅克科技 002409 :SK 海力士核心材料供应商,提供 HBM 制造前驱体 / 电子特气,直接受益 HBM5 放量。
回天新材 300041 :高导热底部填充胶(≥2.5W/m・K),适配 iHBM 内部高导热填充需求。
3)HBM 分销(直接供货国内 AI 厂)
香农芯创 300475 :SK 海力士中国大陆 HBM 官方授权分销商,直供华为、中科曙光等,A 股稀缺纯正 HBM 分销标的。
4)检测 / 设备(iHBM 良率保障)
赛腾股份 603283 :HBM全制程检测设备(堆叠 / 键合 / 散热性能),iHBM 新增热阻检测环节,设备需求提升。
三、核心逻辑一句话
iHBM 把 HBM 散热从 “外部吹” 变成 “内部冷”,热阻降 30%,HBM5 标配
盘中小作文推了拆机报告更新,英伟达M10材料发酵,其中细分PTFE涨停家数最多
一、PTFE 是什么?为什么突然爆?
PTFE = 聚四氟乙烯(塑料王),核心特点:介电常数极低、损耗极小、耐高温、绝缘好。
在 AI 服务器 / 高速 PCB 里,核心痛点是:
速率从 GB200 → GB300 → M10(Rubin 平台)
带宽翻倍、频率飙升,普通树脂(ABF / 环氧)损耗扛不住
PTFE 是目前唯一能把 Df(损耗角)压到 <0.001 的成熟材料
这次炒作的直接导火索(5 月中下旬)
英伟达 Rubin 拆机小作文:对比 GB300,PCB 价值量 + 233%,其中PTFE 四氟膜用量从 0 暴增到 20 倍
生益科技交流纪要(5.19):明确说M10 时代,PTFE 是 PCB 最大新增量,肯特股份去年已向生益供 7000 万 PTFE 膜
氟化工涨价:萤石 / 氢氟酸涨价、东岳春检限产,PTFE 原料价格抬升,供需偏紧
国产替代:高端 PTFE(M10 级)此前被杜邦 / 大金垄断,昊华晨光等突破 99.999% 高纯,通过英伟达认证
所以:不是纯吹,是 “硬需求 + 订单验证 + 涨价 + 替代” 叠加,小作文只是把预期打满。
二、PTFE 细分在 AI/PCB 里的位置(一句话看懂)
上游:高纯 PTFE 树脂(M10 级) → 昊华科技(中昊晨光)、东岳集团、巨化股份
中游:PTFE 薄膜(四氟膜) → 肯特股份(核心)、昊华科技、泛亚微透
下游:PTFE 高频覆铜板(CCL) → 中英科技、生益科技、华正新材
今天涨停最猛的,是 “PTFE 薄膜 + 覆铜板” 这一段,因为 M10 直接增量在这里。
英伟达M10不是单一材料,是一整套面向下一代Rubin Ultra/Feynman AI平台的高频高速基材体系,是当前M9的全面升级。
沪电股份:国内规模最大、技术实力最强的PCB制造商之一。英伟达M10核心测试合作方。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入62.14亿,同比增长53.91%,归属净利润12.42亿,同比增长62.90%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是产品销售收入(印制电路板业务),营业收入为181.4亿,占总营收比重的95.77%,第二大收入来源产品是其他(补充),营业收入为7.981亿,占总营收比重的4.21%。
生益科技:全球第二大刚性覆铜板生产商,全球市占率超过13%。M9已供货、M10送样测试中。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入81.41亿,同比增长45.09%,归属净利润11.58亿,同比增长105.47%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是覆铜板业务,营业收入为188.0亿,占总营收比重的66.11%,第二大收入来源产品是线路板业务,营业收入为94.85亿,占总营收比重的33.36%。
南亚新材:覆铜板行业全球前十。M9已供货英伟达,M10样品开发完成计划送样。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入18.32亿,同比增长92.36%,归属净利润1.501亿,同比增长610.83%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是覆铜板,营业收入为40.55亿,占总营收比重的77.56%,第二大收入来源产品是粘结片,营业收入为10.72亿,占总营收比重的20.51%。
菲利华:拥有石英砂、石英纤维、石英纤维电子布的全产业链能。Q布产品已送样英伟达进行测试。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入6.217亿,同比增长53.04%,归属净利润1.437亿,同比增长36.77%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是石英玻璃材料,营业收入为12.58亿,占总营收比重的62.41%,第二大收入来源产品是石英玻璃制品,营业收入为7.524亿,占总营收比重的37.31%。
联瑞新材:国内规模领先的电子级硅微粉企业,主营业务为硅微粉的研发、生产和销售。M10级纳米球形硅微粉已送样。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入2.940亿,同比增长23.16%,归属净利润7164万,同比增长13.64%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是球形无机粉体,营业收入为6.516亿,占总营收比重的58.41%,第二大收入来源产品是角形无机粉体,营业收入为2.610亿,占总营收比重的23.40%。
昊华科技:公司PTFE总产能4.8万吨/年。国内唯一通过英伟达M10认证的PTFE供应商。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入42.31亿,同比增长34.02%,归属净利润3.080亿,同比增长66.73%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是高端氟材料,营业收入为99.39亿,占总营收比重的59.55%,第二大收入来源产品是高端制造化工材料,营业收入为29.33亿,占总营收比重的17.57%。
东材科技:公司生产的电子级树脂材料是制造印制电路板(PCB)的上游核心材料。M10级碳氢树脂研发完成,英伟达测试中。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入14.44亿,同比增长27.24%,归属净利润1.868亿,同比增长103.35%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是电子材料,营业收入为15.54亿,占总营收比重的30.00%,第二大收入来源产品是光学膜材料,营业收入为14.23亿,占总营收比重的27.47%。
隆扬电子:公司电子铜箔材料可应用于高频高速信号传输领域,核心产品包括HVLP5铜箔、PI载体可剥铜和其他各类铜箔产品。HVLP5铜箔国内唯一送样。
经营情况:截至2026年3月31日,公司营业总收入1.668亿,同比增长127.30%,归属净利润2692万,同比增长-12.24%。
分产品来看,截至2025年12月31日,公司主要收入来源产品是屏蔽材料,营业收入为2.775亿,占总营收比重的55.03%,第二大收入来源产品是缓冲减震材料,营业收入为1.005亿,占总营收比重的19.92%。
卧龙电驱不懂会不会有趋势