功率半导体掀起二轮涨价潮,扬杰科技带头全系提10%–15%
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成本扛不住了是一方面,但这次涨价背后,AI数据中心对功率器件需求的拉动是市场关注的新线索。
扬杰科技又发涨价函了,全系列上调10%–15%
6月下旬,扬杰科技发出价格调整函,全系列产品价格上调10%到15%,7月1日起执行。这是年内第二轮涨价,上一轮主要针对部分产品线,这次覆盖全部品类。
调价原因写得很直接:上游芯片晶圆、铜锡等大宗金属、封装材料全在涨,下半年成本压力预期还会增加,公司需要通过价格调整来消化。
但涨价的其实不只是扬杰一家。士兰微、新洁能今年也都有过调价动作,MOS管、二极管产品线价格普遍上调。华润微2月份率先涨了一波,捷捷微电年初MO SFET 涨价后,5月又把IGBT产品价格上调了10到20个点。
从行业面看,这不是单个公司的动作,而是中低压功率器件板块普遍的价格修复。
产线满负荷,订单饱满,这轮涨价有基本面支撑
涨价函之外,扬杰的产线状态更值得留意。6月份公开调研信息显示,各产线持续满负荷运行,设备稼动率维持高位,订单需求饱满。
行业供给端也在变化。台积电、三星等代工厂将资源向先进制程集中,8英寸产线被主动削减。根据行业公开数据,2025年全球8英寸产能微降,2026年预计再降约2%。功率半导体七成以上依赖成熟制程,供给持续收紧。而功率器件交货周期已拉长至35到45周,对比光模块和MLCC约16到24周的周期,供需错配明显。
这是市场对这轮涨价的普遍解读逻辑。
AI数据中心,正在成为功率半导体需求的新变量
但单纯看周期涨价,可能还不是全部。
市场当前关注的一个新方向是:AI数据中心的电力基础设施需求,正在拉动功率半导体用量上升。一台AI服务器的功率器件用量是普通服务器的3到5倍。
这被市场视为行业中长期结构变化的一个观察角度。
固态变压器(SST)是技术层面值得关注的演进方向
英伟达推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进,固态变压器(SST)成为技术迭代中的关键环节。传统方案用"工频变压器+多级整流+UPS+PDU",体积大、损耗高。SST方案用SiC MOSFET替代铁芯,实现中压交流直接转800V直流,体积缩小,效率突破99%。
这个架构变化直接拉动了高压SiC器件的需求。芯联集成近期推出了3300V SiC MOSFET器件,面向固态变压器场景,公告称已向核心客户送样验证。该公司8英寸SiC MOSFET产线已规模量产,碳化硅功率模块装机量国内份额约14.6%。
基于公开信息,各家近况如下
• 扬杰科技:中低压功率器件主要供应商,本次涨价函覆盖全系列产品。公开信息显示产线持续满负荷运行,订单饱满。
• 新洁能:通过MPS体系进入英伟达、AMD等北美客户供应链,48V转12V中低压MOS和e-fuse产品下半年预计放量。SiC方面近期申请了级联型SiC功率器件的相关专利(来源:国家知识产权局公告)。
• 士兰微:IDM模式,8英寸SiC功率器件芯片生产线已通线,II代SiC-MOSFET在AI算力中心电源领域已批量供应。12英寸高端模拟芯片扩产项目推进中。
• 芯联集成:8英寸SiC MOSFET率先国内规模量产,3300V高压器件已送样。碳化硅功率模块装机量国内排名靠前。硅光、锗硅、DRMOS方向亦有公开布局信息。
功率半导体板块目前处于"周期价格修复+AI新需求预期"的叠加阶段。中低压这边有明确的涨价函和公开订单信息支撑,高压SiC方向有AI数据中心架构变革的长逻辑背景。
涨价的直接原因是成本,但市场之所以关注,主要还是需求端的变化。
风险提示
本文仅为功率半导体行业及公开信息梳理,不构成证券投资建议,不构成买入、卖出或持有任何证券之推荐。市场有风险,投资须谨慎。
扬杰科技又发涨价函了,全系列上调10%–15%
6月下旬,扬杰科技发出价格调整函,全系列产品价格上调10%到15%,7月1日起执行。这是年内第二轮涨价,上一轮主要针对部分产品线,这次覆盖全部品类。
调价原因写得很直接:上游芯片晶圆、铜锡等大宗金属、封装材料全在涨,下半年成本压力预期还会增加,公司需要通过价格调整来消化。
但涨价的其实不只是扬杰一家。士兰微、新洁能今年也都有过调价动作,MOS管、二极管产品线价格普遍上调。华润微2月份率先涨了一波,捷捷微电年初MO SFET 涨价后,5月又把IGBT产品价格上调了10到20个点。
从行业面看,这不是单个公司的动作,而是中低压功率器件板块普遍的价格修复。
产线满负荷,订单饱满,这轮涨价有基本面支撑
涨价函之外,扬杰的产线状态更值得留意。6月份公开调研信息显示,各产线持续满负荷运行,设备稼动率维持高位,订单需求饱满。
行业供给端也在变化。台积电、三星等代工厂将资源向先进制程集中,8英寸产线被主动削减。根据行业公开数据,2025年全球8英寸产能微降,2026年预计再降约2%。功率半导体七成以上依赖成熟制程,供给持续收紧。而功率器件交货周期已拉长至35到45周,对比光模块和MLCC约16到24周的周期,供需错配明显。
这是市场对这轮涨价的普遍解读逻辑。
AI数据中心,正在成为功率半导体需求的新变量
但单纯看周期涨价,可能还不是全部。
市场当前关注的一个新方向是:AI数据中心的电力基础设施需求,正在拉动功率半导体用量上升。一台AI服务器的功率器件用量是普通服务器的3到5倍。
这被市场视为行业中长期结构变化的一个观察角度。
固态变压器(SST)是技术层面值得关注的演进方向
英伟达推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进,固态变压器(SST)成为技术迭代中的关键环节。传统方案用"工频变压器+多级整流+UPS+PDU",体积大、损耗高。SST方案用SiC MOSFET替代铁芯,实现中压交流直接转800V直流,体积缩小,效率突破99%。
这个架构变化直接拉动了高压SiC器件的需求。芯联集成近期推出了3300V SiC MOSFET器件,面向固态变压器场景,公告称已向核心客户送样验证。该公司8英寸SiC MOSFET产线已规模量产,碳化硅功率模块装机量国内份额约14.6%。
基于公开信息,各家近况如下
• 扬杰科技:中低压功率器件主要供应商,本次涨价函覆盖全系列产品。公开信息显示产线持续满负荷运行,订单饱满。
• 新洁能:通过MPS体系进入英伟达、AMD等北美客户供应链,48V转12V中低压MOS和e-fuse产品下半年预计放量。SiC方面近期申请了级联型SiC功率器件的相关专利(来源:国家知识产权局公告)。
• 士兰微:IDM模式,8英寸SiC功率器件芯片生产线已通线,II代SiC-MOSFET在AI算力中心电源领域已批量供应。12英寸高端模拟芯片扩产项目推进中。
• 芯联集成:8英寸SiC MOSFET率先国内规模量产,3300V高压器件已送样。碳化硅功率模块装机量国内排名靠前。硅光、锗硅、DRMOS方向亦有公开布局信息。
功率半导体板块目前处于"周期价格修复+AI新需求预期"的叠加阶段。中低压这边有明确的涨价函和公开订单信息支撑,高压SiC方向有AI数据中心架构变革的长逻辑背景。
涨价的直接原因是成本,但市场之所以关注,主要还是需求端的变化。
风险提示
本文仅为功率半导体行业及公开信息梳理,不构成证券投资建议,不构成买入、卖出或持有任何证券之推荐。市场有风险,投资须谨慎。
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