坚定不移长期看好存储，立帖为证！

AI彻底改写存储周期，叠加持续涨价与国产替代，长期价值明确。
行业涨价数据扎实：2026年Q1 DRAM 合约价环比涨90%-95%，Q2续涨58%-63%；NAND Q2环比大涨70%-75%，DDR5颗粒一年涨幅超600%，HBM溢价超300%、订单排至2027年。海外原厂70%先进产能倾斜高毛利算力存储，库存仅3-4周，供需缺口延续至明年。单台AI服务器DRAM用量是传统服务器8-10倍，算力需求持续透支供给。

国产替代打开增量，重点关注三条主线标的：

1. 存储设计龙头兆易创新，参股长鑫，NOR、利基DRAM双受益涨价；
2. 内存接口芯片全球龙头澜起科技，深度绑定DDR5、HBM算力链条；
3. 另外不知道买啥的就买半导体设备etf。其他标的深科技，盛合晶微，都没问题。

短期波动不改上行主线，算力扩张+涨价周期+自主可控三重驱动，坚定长期布局存储赛道。

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风险提示：行业价格不及预期、下游需求疲软、地缘政策波动，不构成投资建议。