7月16日，长鑫科技将正式启动科创板新股申购，募资额295亿元创下年内资本市场规模之最。
有机构指出，存储供需缺口或延续至2027年，2026年将是国内存储加速扩产的重要拐点。
此前公司披露招股书显示，上半年业绩暴增，拟募资全力扩产。这一重磅信号印证了国内存储产业正迎来景气上行与产能扩张的双重共振，产业链上下游核心环节将深度受益。
本期我们梳理存储芯片产业链，根据业务关联与发展现状，筛选出重点关注的6大细分方向，仅供行业研讨与学交流，不构成任何投资建议。

方向一： DRAM 芯片设计
核心逻辑：长鑫科技作为国产DRAM龙头，其IPO不仅意味着资本实力的扩充，更标志着国产存储芯片从“可用”向“好用”跨越。根据招股书数据，公司产能规模正快速攀升，产品制程持续迭代。DRAM是存储市场中规模最大的细分领域，占据半导体市场约15%至20%的份额。随着合肥、北京等基地产能释放，国产DRAM设计企业在利基型市场占有率将显著提升，行业格局重塑在即。
产业链公司：兆易创新：利基型DRAM龙头，与长鑫深度合作北京君正：车载存储领军者，DRAM产品线丰富复旦微电：多元存储布局，DRAM制程不断精进聚辰股份：SPD及DDR5配套芯片领先澜起科技：内存接口芯片全球龙头

方向二：薄膜沉积设备
核心逻辑：存储芯片制造中，薄膜沉积设备是资本开支的核心部分，占比高达25%左右。长鑫扩产最直接受益的便是设备采购，尤其是CVD与ALD设备。在DRAM制造过程中，高深宽比结构对薄膜质量要求极高，先进制程演进使得设备价值量成倍增长。国内设备厂商在关键工艺节点已实现零的突破，正在加速导入产线，国产替代空间巨大。
产业链公司：北方华创：国内半导体设备龙头，覆盖多种薄膜工艺拓荆科技：国产PECVD设备领军者微导纳米：ALD技术领先，切入存储赛道中微公司：刻蚀与MOCVD双轮驱动盛美上海：清洗与先进工艺设备平台

方向三：刻蚀设备
核心逻辑：刻蚀步骤在存储制造流程中占比极高，尤其是3D NAND与高深宽比DRAM结构。随着制程微缩，刻蚀精度要求从纳米级向原子级演进，技术壁垒持续抬高。 SEMI 数据显示，刻蚀设备约占晶圆制造设备投资的20%以上。国内刻蚀设备商技术实力已达国际主流水平，在长鑫等大厂招标中中标率显著提升，正从“替代者”向“主力军”转变。
产业链公司：中微公司：全球刻蚀设备第一梯队北方华创：硅刻蚀与金属刻蚀技术成熟神工股份：刻蚀电极材料龙头富吉瑞：红外成像与精密加工芯源微：涂胶显影与刻蚀配套

方向四：先进封装与测试
核心逻辑：后摩尔时代，先进封装成为提升存储性能的关键路径，HBM（高带宽存储器）等技术爆发直接带动封装价值量提升。长鑫及长存扩产将释放巨大封测需求。据集邦咨询数据，先进封装市场规模年复合增长率将超10%。国内封测厂具备成熟工艺与大规模交付能力，且深度绑定国内存储原厂，在产业链中业绩弹性释放最为直接。
产业链公司：长电科技：国内封测龙头，先进封装技术领先通富微电：绑定大客户，高性能计算封装强者华天科技：存储封测产能充沛深科技：国内存储封测核心供应商太极实业：与海力士合作紧密，DRAM模组制造

方向五：电子特气与前驱体材料
核心逻辑：材料是存储制造的“粮食”，电子特气与前驱体材料直接影响芯片良率。长鑫扩产将带来海量材料消耗需求，相关行业报告显示，半导体材料市场年复合增长率保持在6%以上。高纯度含氟气体、硅前驱体等关键材料长期被海外垄断，国产替代迫在眉睫。国内厂商在品类拓展与客户验证上进展迅速，正加速进入长鑫等大厂供应链。
产业链公司：雅克科技：前驱体材料龙头，深度绑定存储大厂华特气体：特种气体品类齐全南大光电：光刻胶与特气双轮驱动金宏气体：大宗与特种气体综合供应商凯美特气：电子特气新锐

方向六：模组制造与主控芯片
核心逻辑：存储产业链下游，模组厂商直接对接终端需求，受益于存储价格回升带来的库存增值。同时，信创与服务器市场复苏带动SSD需求。主控芯片作为SSD的大脑，决定了存储性能，国产主控自研率提升显著。海关数据显示，我国存储模组在全球市场占有率持续提升，拥有自研主控能力的模组厂在价格上行周期中盈利能力更强。
产业链公司：江波龙：模组龙头，布局高端存储佰维存储：信创存储核心标的德明利：主控芯片自研能力强朗科科技：专利运营与存储产品同有科技：企业级存储与解决方案

整体看，长鑫科技近300亿的巨额募资不仅是资本市场的大事件，更是国产存储产业成熟的里程碑。随着资金到位与产能爬坡，国内存储产业链正从单纯的“国产替代”迈向“全球竞争”的新阶段。