存储产线资本开支结构前道工艺设备占晶圆建厂总投资 55%~65%；三大最贵设备：刻蚀（20~28%）＞薄膜沉积（15~25%）＞量测 / CMP / 清洗 / 离子注入等配套长江存储（3D NAND）特点：堆叠层数持续提升，刻蚀需求弹性极强；层数越高，沉积 + 刻蚀循环次数指数上升长鑫存储（ DRAM +HBM）特点：电容工艺、金属互连复杂，CMP、PECVD、刻蚀同步受益，未来 HBM 带来增量