关于长鑫科技投资分析报告
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长鑫科技（688825）投资分析报告
报告日期：2026年7月16日
一、公司概况
长鑫科技集团股份有限公司成立于2016年，总部位于安徽合肥，由知名芯片企业家朱一明创办，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。公司专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，采用IDM全产业链模式，覆盖芯片研发、晶圆制造、封装测试、模组生产到终端销售全部环节，全球范围内具备这一完整能力的DRAM厂商仅有三星、SK海力士、美光与长鑫四家。
长鑫科技于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的历史性突破。此后，公司采取“跳代研发”策略，十年间完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产跨越，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X全系列。
截至2025年12月31日，公司拥有6,259名研发人员，占员工总数超30%；累计拥有3,929项境内专利（其中发明专利3,165项）及3,043项境外专利。
二、IPO核心要点
2.1 发行基本信息
项目 详情
证券代码 688825
申购代码 787825
发行价格 8.66元/股
发行数量 66.88亿股（占发行后总股本10%）
募资规模 295亿元（超额配售前）/ 579亿元（全额行使后）
发行估值 约5,792亿元
申购日期 2026年7月16日
上市板块 上交所科创板
联席保荐人 中金公司、中信建投
长鑫科技IPO从2025年12月30日获受理到2026年5月27日过会，仅用时148天，创下国内大型硬科技IPO审核高效率纪录。本次发行是2026年以来A股最大IPO，也是科创板历史上第二大IPO，仅次于中芯国际。
2.2 募资投向
募集资金将全部围绕主营业务投入三大方向：
· DRAM存储器技术升级项目：130亿元
· 前瞻技术研究与开发项目：90亿元
· 存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目：75亿元
2.3 战略配售阵容
战略配售汇集了30家机构，堪称“超级豪华阵容”：
· 国家级基金：全国社会保障基金理事会旗下30余个组合、中国国有企业结构调整基金二期等
· 保险公司：中国人寿、中邮人寿、泰康人寿等
· 产业链公司：中微公司、澜起科技、安集科技、通富微电、拓荆科技、沪硅产业等
· 下游客户：小米、美团、阿里云、腾讯、中兴通讯、奇瑞汽车、传音控股、TCL科技、蔚来等
三、财务表现分析
3.1 历史业绩
年份 营业收入 归母净利润 扣非净利润
2023年 90.87亿元 -163.40亿元 -167.52亿元
2024年 241.78亿元 -71.45亿元 -78.70亿元
2025年 617.99亿元 18.75亿元 53.16亿元
2025年公司实现扭亏为盈，三年营业总收入复合增长率为95.38%，在集成电路制造行业已披露2025年数据的11家公司中排名第1。2025年LPDDR系列收入407.04亿元（占营收65.86%），DDR系列收入195.31亿元（占31.6%）。
3.2 2026年爆发式增长
· 2026年一季度：营收508亿元，同比增长719%；归母净利润247.62亿元，同比扭亏
· 2026年上半年预计：营收1,100-1,200亿元，同比增长612%-677%；归母净利润500-570亿元，同比增长2,244%-2,544%
若上述业绩实现，长鑫科技仅上半年归母净利润便可一举弥补截至2025年末约366.50亿元的累计未弥补亏损。
3.3 盈利能力对比
2026年一季度公司毛利率达40.99%，超越三星与美光。按上半年归母净利润下限500亿元简单年化，全年归母净利润约1,000亿元，对应约5,800亿元的发行估值，动态市盈率不到6倍。
四、行业地位与竞争格局
4.1 市场地位
根据Omdia数据，按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技全球DRAM市场份额提升至7.67%，成为继三星电子、SK海力士和美光之后全球第四大DRAM厂商，也是目前中国大陆唯一实现DRAM自主研发、设计及规模化量产的企业。
从2025年第二季度的3.97%到第四季度的7.67%，长鑫科技的市场份额在短短两个季度内近乎翻倍。Semianalysis预测公司2028年全球市占率有望达17%。
4.2 竞争格局
全球DRAM市场呈现高度集中格局，三星、SK海力士、美光三家合计市场份额超过90%。长鑫科技虽然增长迅速，但与全球第三的美光（22%市占率）相比仍有显著差距。在产品和技术上，长鑫科技在HBM等高端产品上与国际先进水平尚有明显的代差。
4.3 客户生态
长鑫科技已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、荣耀、OPPO、vivo等头部客户建立深度合作。近期还与腾讯签署了200亿元的长期DRAM供应协议。
五、估值分析
5.1 发行估值
发行价8.66元/股对应上市估值约5,792亿元。
5.2 估值对比
与国际巨头对比（以7月13日收盘价计）：
公司 预测PB 预测PE
三星 2.22倍 5.02倍
SK海力士 3.73倍 5.64倍
美光 5.73倍 8.20倍
长鑫科技（发行价） — 约5-6倍（动态）
参照2025年归母净利润，发行市盈率为314倍（静态）；但若参考2026年上半年业绩指引，动态市盈率仅5-6倍。SemiAnalysis认为长鑫当前IPO对应估值处于相对保守水平，约270亿美元的估值仅相当于2026年上半年年化利润的约1.8倍。
5.3 市场预期
市场对长鑫科技上市后市值预期分歧较大：
· 保守估计：1-2万亿元
· 乐观估计：3万亿元乃至更高
有券商甚至给出7万-10万亿元的交易估值预期。
六、核心投资亮点
1. 国产DRAM唯一规模化量产企业，战略稀缺性突出
长鑫科技是目前中国大陆唯一实现DRAM自主研发、设计及规模化量产的企业。在全球DRAM市场被三家国际巨头垄断超90%的格局下，长鑫科技的国产替代战略价值极为突出。
2. 业绩爆发式增长，盈利拐点确立
2025年实现扭亏为盈后，2026年上半年预计归母净利润500-570亿元，同比增长超22倍。从十年亏损到半年盈利500亿+，业绩弹性巨大。
3. IDM全产业链模式构筑竞争壁垒
全球仅四家DRAM厂商具备IDM全产业链能力，长鑫是其中唯一的中国企业。全链条自主可控在当前的国际科技竞争背景下具有特殊战略意义。
4. “国家队”与产业资本深度背书
合肥国资合计持股超35%，大基金二期持股8.73%，五大国有行通过AIC穿透持股，战配名单涵盖社保基金、产业龙头和下游核心客户。董事长朱一明承诺上市后十年内不减持，并将自持7.68亿股用于员工激励。
5. 产能扩张空间巨大，市占率有望持续提升
现有产能已接近满产，募资将用于多基地扩产。当前全球市占率7.67%与美光22%差距显著，Semianalysis预测2028年市占率可达17%，增量空间数倍于现有体量。
七、风险因素
1. DRAM行业强周期性风险
DRAM是典型的周期性行业，价格波动剧烈。2025年下半年以来的高增长受益于AI驱动的需求爆发与行业供需趋紧。若未来AI需求不及预期、新增产能集中释放，行业可能重新进入下行周期。报告期内公司主要DRAM产品销售单价同比变动幅度分别达55.08%和33.69%。
2. 与国际巨头的技术差距
在HBM等高端产品上，长鑫科技与国际先进水平尚有明显的代差。第五代工艺技术平台仍处于研发阶段。随着三星、SK海力士、美光重新聚焦DRAM主业，长鑫将面临正面竞争。
3. 产能与良率爬坡风险
大规模扩产涉及巨额资本开支，产能爬坡、良率提升存在不确定性。当前产能规模与海外巨头差距显著。
4. 巨额解禁与流动性压力
发行后总股本巨大（约668亿股），虽然董事长承诺10年不减持，但其他早期股东（如大基金二期、安徽省投等）的解禁安排仍需关注。
5. 估值分歧与市场预期差
静态PE高达314倍，市场预期市值从不到6,000亿到数万亿不等，预期差极大。上市后股价可能面临剧烈波动。
八、总结
长鑫科技作为国产DRAM产业的独苗，其上市是中国半导体产业发展的标志性事件。公司基本面强劲——2026年上半年预计净利润500-570亿元，动态PE仅5-6倍，叠加国产替代+AI算力需求+产能扩张三重驱动，长期成长逻辑清晰。
但DRAM行业强周期性、与国际巨头的技术代差、以及市场预期从6,000亿到数万亿的巨大分歧，构成了不可忽视的风险。公司自身的审慎表态——“AI发展对DRAM市场需求存在不确定性”“DRAM行业具有明显周期性”——也提醒投资者保持理性。
⚠️ 免责声明：本报告基于公开信息整理分析，仅供参考，不构成任何投资建议。市场有风险，投资须谨慎。
报告日期：2026年7月16日
一、公司概况
长鑫科技集团股份有限公司成立于2016年，总部位于安徽合肥，由知名芯片企业家朱一明创办，是我国规模最大、技术最先进、布局最全的 DRAM 研发设计制造一体化企业。公司专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，采用IDM全产业链模式，覆盖芯片研发、晶圆制造、封装测试、模组生产到终端销售全部环节，全球范围内具备这一完整能力的DRAM厂商仅有三星、SK海力士、美光与长鑫四家。
长鑫科技于2019年9月推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的历史性突破。此后，公司采取“跳代研发”策略，十年间完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产跨越，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X全系列。
截至2025年12月31日，公司拥有6,259名研发人员，占员工总数超30%；累计拥有3,929项境内专利（其中发明专利3,165项）及3,043项境外专利。
二、IPO核心要点
2.1 发行基本信息
项目 详情
证券代码 688825
申购代码 787825
发行价格 8.66元/股
发行数量 66.88亿股（占发行后总股本10%）
募资规模 295亿元（超额配售前）/ 579亿元（全额行使后）
发行估值 约5,792亿元
申购日期 2026年7月16日
上市板块 上交所科创板
联席保荐人 中金公司、中信建投
长鑫科技IPO从2025年12月30日获受理到2026年5月27日过会，仅用时148天，创下国内大型硬科技IPO审核高效率纪录。本次发行是2026年以来A股最大IPO，也是科创板历史上第二大IPO，仅次于中芯国际。
2.2 募资投向
募集资金将全部围绕主营业务投入三大方向：
· DRAM存储器技术升级项目：130亿元
· 前瞻技术研究与开发项目：90亿元
· 存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目：75亿元
2.3 战略配售阵容
战略配售汇集了30家机构，堪称“超级豪华阵容”：
· 国家级基金：全国社会保障基金理事会旗下30余个组合、中国国有企业结构调整基金二期等
· 保险公司：中国人寿、中邮人寿、泰康人寿等
· 产业链公司：中微公司、澜起科技、安集科技、通富微电、拓荆科技、沪硅产业等
· 下游客户：小米、美团、阿里云、腾讯、中兴通讯、奇瑞汽车、传音控股、TCL科技、蔚来等
三、财务表现分析
3.1 历史业绩
年份 营业收入 归母净利润 扣非净利润
2023年 90.87亿元 -163.40亿元 -167.52亿元
2024年 241.78亿元 -71.45亿元 -78.70亿元
2025年 617.99亿元 18.75亿元 53.16亿元
2025年公司实现扭亏为盈，三年营业总收入复合增长率为95.38%，在集成电路制造行业已披露2025年数据的11家公司中排名第1。2025年LPDDR系列收入407.04亿元（占营收65.86%），DDR系列收入195.31亿元（占31.6%）。
3.2 2026年爆发式增长
· 2026年一季度：营收508亿元，同比增长719%；归母净利润247.62亿元，同比扭亏
· 2026年上半年预计：营收1,100-1,200亿元，同比增长612%-677%；归母净利润500-570亿元，同比增长2,244%-2,544%
若上述业绩实现，长鑫科技仅上半年归母净利润便可一举弥补截至2025年末约366.50亿元的累计未弥补亏损。
3.3 盈利能力对比
2026年一季度公司毛利率达40.99%，超越三星与美光。按上半年归母净利润下限500亿元简单年化，全年归母净利润约1,000亿元，对应约5,800亿元的发行估值，动态市盈率不到6倍。
四、行业地位与竞争格局
4.1 市场地位
根据Omdia数据，按2025年第四季度销售额计算，长鑫科技全球DRAM市场份额提升至7.67%，成为继三星电子、SK海力士和美光之后全球第四大DRAM厂商，也是目前中国大陆唯一实现DRAM自主研发、设计及规模化量产的企业。
从2025年第二季度的3.97%到第四季度的7.67%，长鑫科技的市场份额在短短两个季度内近乎翻倍。Semianalysis预测公司2028年全球市占率有望达17%。
4.2 竞争格局
全球DRAM市场呈现高度集中格局，三星、SK海力士、美光三家合计市场份额超过90%。长鑫科技虽然增长迅速，但与全球第三的美光（22%市占率）相比仍有显著差距。在产品和技术上，长鑫科技在HBM等高端产品上与国际先进水平尚有明显的代差。
4.3 客户生态
长鑫科技已与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、荣耀、OPPO、vivo等头部客户建立深度合作。近期还与腾讯签署了200亿元的长期DRAM供应协议。
五、估值分析
5.1 发行估值
发行价8.66元/股对应上市估值约5,792亿元。
5.2 估值对比
与国际巨头对比（以7月13日收盘价计）：
公司 预测PB 预测PE
三星 2.22倍 5.02倍
SK海力士 3.73倍 5.64倍
美光 5.73倍 8.20倍
长鑫科技（发行价） — 约5-6倍（动态）
参照2025年归母净利润，发行市盈率为314倍（静态）；但若参考2026年上半年业绩指引，动态市盈率仅5-6倍。SemiAnalysis认为长鑫当前IPO对应估值处于相对保守水平，约270亿美元的估值仅相当于2026年上半年年化利润的约1.8倍。
5.3 市场预期
市场对长鑫科技上市后市值预期分歧较大：
· 保守估计：1-2万亿元
· 乐观估计：3万亿元乃至更高
有券商甚至给出7万-10万亿元的交易估值预期。
六、核心投资亮点
1. 国产DRAM唯一规模化量产企业，战略稀缺性突出
长鑫科技是目前中国大陆唯一实现DRAM自主研发、设计及规模化量产的企业。在全球DRAM市场被三家国际巨头垄断超90%的格局下，长鑫科技的国产替代战略价值极为突出。
2. 业绩爆发式增长，盈利拐点确立
2025年实现扭亏为盈后，2026年上半年预计归母净利润500-570亿元，同比增长超22倍。从十年亏损到半年盈利500亿+，业绩弹性巨大。
3. IDM全产业链模式构筑竞争壁垒
全球仅四家DRAM厂商具备IDM全产业链能力，长鑫是其中唯一的中国企业。全链条自主可控在当前的国际科技竞争背景下具有特殊战略意义。
4. “国家队”与产业资本深度背书
合肥国资合计持股超35%，大基金二期持股8.73%，五大国有行通过AIC穿透持股，战配名单涵盖社保基金、产业龙头和下游核心客户。董事长朱一明承诺上市后十年内不减持，并将自持7.68亿股用于员工激励。
5. 产能扩张空间巨大，市占率有望持续提升
现有产能已接近满产，募资将用于多基地扩产。当前全球市占率7.67%与美光22%差距显著，Semianalysis预测2028年市占率可达17%，增量空间数倍于现有体量。
七、风险因素
1. DRAM行业强周期性风险
DRAM是典型的周期性行业，价格波动剧烈。2025年下半年以来的高增长受益于AI驱动的需求爆发与行业供需趋紧。若未来AI需求不及预期、新增产能集中释放，行业可能重新进入下行周期。报告期内公司主要DRAM产品销售单价同比变动幅度分别达55.08%和33.69%。
2. 与国际巨头的技术差距
在HBM等高端产品上，长鑫科技与国际先进水平尚有明显的代差。第五代工艺技术平台仍处于研发阶段。随着三星、SK海力士、美光重新聚焦DRAM主业，长鑫将面临正面竞争。
3. 产能与良率爬坡风险
大规模扩产涉及巨额资本开支，产能爬坡、良率提升存在不确定性。当前产能规模与海外巨头差距显著。
4. 巨额解禁与流动性压力
发行后总股本巨大（约668亿股），虽然董事长承诺10年不减持，但其他早期股东（如大基金二期、安徽省投等）的解禁安排仍需关注。
5. 估值分歧与市场预期差
静态PE高达314倍，市场预期市值从不到6,000亿到数万亿不等，预期差极大。上市后股价可能面临剧烈波动。
八、总结
长鑫科技作为国产DRAM产业的独苗，其上市是中国半导体产业发展的标志性事件。公司基本面强劲——2026年上半年预计净利润500-570亿元，动态PE仅5-6倍，叠加国产替代+AI算力需求+产能扩张三重驱动，长期成长逻辑清晰。
但DRAM行业强周期性、与国际巨头的技术代差、以及市场预期从6,000亿到数万亿的巨大分歧，构成了不可忽视的风险。公司自身的审慎表态——“AI发展对DRAM市场需求存在不确定性”“DRAM行业具有明显周期性”——也提醒投资者保持理性。
⚠️ 免责声明：本报告基于公开信息整理分析，仅供参考，不构成任何投资建议。市场有风险，投资须谨慎。
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