中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年2月12日发布的题为《Pricing strengthsustainable》的报告，由AI需求驱动的存储超级周期持续推高存储价格，且涨幅超出预期。鉴于结构性供应限制，中信里昂预计强劲盈利势头将延续至2028财年。尽管市场对存储价格上涨对PC/移动端客户需求的潜在抑制效应确实存在，但研究预计2026/27财年数据中心需求仍将有效抵消此类影响。存储行业虽已宣布扩产计划以应对供应短缺，但考虑到新增产能的时间节点及新建晶圆制造厂（greenfield fabs）的产能爬坡周期，2028年下半年前难以实现实质性供应增长。
需求全面强劲但供应持续受限
过去数周，存储板块迎来多重催化因素：一季度合约价超预期上涨、云服务超大规模资本支出上修、GPU/ ASIC 制造商订单积压量上升，以及PC/移动端客户因担忧下半年供应进一步趋紧而追加订单。供应链核查显示，二季度合约价涨幅有较大概率超过当前市场一致预期的约15%。
动态随机存取存储器（ DRAM ）、闪存（NAND）、高带宽内存（HBM）库存处于极低水平，产能受限抑制产出
供应链核查显示，主要存储供应商当前DRAM库存仅2至3周，NAND库存为5至6周，而HBM库存几近于零。鉴于产能限制或持续至2027年，分析预计，美光科技2026财年的位元出货量季度同比增速将限于低个位数区间。由于当前仅能满足50-60%的客户需求，公司正加速制程节点迁移并提升良率与生产效率以扩大产能，但增量空间仍然有限。
HBM4量产与出货按计划推进，新增产能布局加速
根据美光科技及韩国供应链核查，其HBM4已进入量产阶段。分析预计美光在英伟达Vera Rubin平台的HBM4市场
份额约为15%。整体而言，HBM收入预计将在2026财年增长94%至107亿美元，2027财年再增77%至189亿美元。美光爱达荷州新厂（ID1）将于2027年上半年末投产（以晶圆产出计），初期产能爬坡计较为将较为渐进。此外，其近期收购力积电（ PSMC ）台湾工厂（满产产能每月8万片）计划于2027年四季度投产，初期产能为约每月2万片。
催化因素
除英伟达外，美光HBM3E产品亦获AWS、Marvell与博通等ASIC客户采用。公司已向客户送样HBM4，计划2026年二季度开始供应英伟达Rubin GPU。我们预计美光HBM市占率将从2024年的6%升至2025年21%、2026年25%及2027年28%。顺利通过英伟达认证、HBM4量产、美国/新加坡/日本/印度新厂投产、传统DRAM供需紧平衡及NAND复苏将成为股价催化因素。
投资风险
投资风险包括：(一)云端超大规模资本支出显著放缓；(二)PC/智能手机/服务器需求复苏乏力或慢于预期；(三)关税政策不确定性及地缘政治风险；(四)传统DRAM产品需求与价格回调；(五)中国厂商崛起及中高端存储市场份额流失。
1. 三孚股份 二氯二氢硅下游主要应用在逻辑芯片、存储芯片、硅基前驱体
2.石英股份 公司用自产高纯石英砂生产的半导体扩散领域用炉管系列石英材料，近期已在国内头部存储晶圆制造企业顺利完成12英寸晶圆制造的全部工艺测试，并凭借卓越的性能成功通过认证。此次认证的通过，不仅证明了我们的产品在纯度、稳定性等关键指标上已完全达到国际一流水准，更是我们长期坚持自主创新战略的又一重要成果
3.彤程新材 凭借产业链资源整合的显著优势，公司在高端光刻胶领域取得了突破性进展。公司研发的ArF浸没式光刻胶已顺利通过认证并实现量产，产品广泛应用于国内知名逻辑芯片、存储器、功率器件等主流晶圆厂